Введение
Сегодня рентгеновская физика переживает второе рождение благодаря созданию специализированных источников синхротронного излучения. Они генерируют электромагнитное излучение, обладающее уникальными свойствами: непрерывным спектром от инфракрасного до у-излучения; высокой степенью естественной коллимации; возможностью использования периодической последовательности ультракоротких рентгеновских импульсов длительностью в несколько десятков пикосекунд; определенным состоянием поляризации; яркостью излучения, на 8-10 порядков превосходящей яркость существующих лабораторных рентгеновских трубок. Успехи рентгеновских дифракционных исследований, подкрепленные уникальными свойствами синхротронного излучения, дают основание назвать сегодняшнее время ренессансом рентгеновской физики.
Достоинством методов рентгеновского анализа веществ в этом плане по сравнению с другими методами химического анализа является то, что практически все эти сведения о строении вещества можно получить с помощью одного инструмента — рентгеновских лучей, изучая результат их взаимодействия с веществами. К настоящему времени хорошо разработаны и находят широкое практическое применение такие методы экспериментальных исследований веществ с помощью рентгеновских лучей, как эмиссионная, абсорбционная и флуоресцентная рентгеновская спектроскопия, дифракционные методы рентгеновского анализа, методы малоуглового рассеяния и т. п.
Полупроводниковые сверхрешетки представляют со¬бой новый важный класс модулированных кристалли¬ческих структур. Благодаря дополнительному периоди¬ческому потенциалу, создаваемому чередованием двух или более слоев определенного набора полупроводников, сверхрешетки обнаруживают ряд уникальных электрон¬ных и оптических свойств. Существующие методы эпитаксиального роста позволяют создавать сверхрешетки достаточно высокого структурного совершенства. Тем не менее в реальной ситуации сверхрешетки неизбежно содержат различного типа дефекты. Благодаря неразру-шающему характеру и относительной простоте измере¬ний дифракция рентгеновских лучей является наиболее эффективным методом определения структурных пара¬метров сверхрешеток.
В настоящее время большое внимание уделяется опи¬санию дифракции рентгеновских лучей на сверхрешетках с различными структурными дефектами.
1. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д. Бриггса, М.П. Сиха. - М.: Мир, 1987. - 600 с.
2. Афанасьев А.М., Имамов Р.М., Пашаев Э.М. Чуев М.А. и др. Рентгенодифракционные исследования границ раздела слоев сверхрешетки AlAs-Ga1-xAlxAs. Кристаллография. 1998. Т. 43. № 1. С. 1-5.
3. Афанасьев А.М., Имамов Р.М., Пашаев Э.М. и др. Исследование верхних слоев сверхрешеток методом стоячих рентгеновских волн. Кристаллография. 1993. Т. 38. Вып. 3. С. 58-62.
4. Вакуумная технология: Лабораторный практикум по курсу "Технология электронного машиностроения" /Под. Ред. проф. Докт. Физ.-мат. Наук С.Г. Овчинникова. - Красноярск: САА, 1994. - 85 с.
5. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. - М: Мир, 1989. - 564 с.
6. Еловиков С.С. Электронная спектроскопия поверхности и тонких пленок: Учеб. пособие. - М.: Изд-во МГУ, 1992. - 94 с.
7. Зайцев А.А., Карцев А.Т., Пашаев Э.М. Особенности формирования границ раздела многослойных изоморфных гетерокомпозиций на основе соединений AIIIBV. Поверхность. 2001. № 2. С.52-56.
8. Зайцев А.А., Мокеров В.Г., Пашаев Э.М. и др. Исследование особенностей формирования гетероструктур с квантовыми точками методами рентгеновской диагностики. Микроэлектроника. 2004. Т. 33. № 1. С. 35-41
9. Зенгуил Э. Физика поверхности. - М.: Мир, 1990. - 536 с.
10. Имамов Р.М., Пашаев Э.М, Чуев М.А. и др. Достижения высокоразрешающей рентгеновской дифракции в характеризации многослойных гетероструктур. Поверхность. 1999. № 12. С. 11-20.
11. Колпаков, А. В. Дифракция рентгеновских лучей в сверхрешетках: Учебное пособие / А. В. Колпаков, Прудников. - М. : МГУ, 1992. - 128 с.
12. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры /Под ред. Л. Ченга, К. Плога. Ц М.: Мир, 1989. - 584 с.
13. Пашаев Э.М., Якунин С.Н., Зайцев А.А. и др. Характеризация селективно-легированных многослойных гетероструктур на основе GaAs с квантовыми точками InAs. Микроэлектроника. 2002. Т. 31. № 5. C. 367-375.
14. С.И. Желудева, М.В. Ковальчук, Н.Н. Новикова и др. Новые возможности метода стоячих рентгеновских волн для характеризации ультратонких слоев, составляющих многослойные структуры. Поверхность. 1999, № 1, с. 28-36.
15. Синхротронное излучение / Под ред. К. Кунца. М.: Мир, 1981. 600 c.
16. Уманский Я. С., Скаков Ю. А., Иванов Л. Н., Расторгуев Л. Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 631 с.
17. Фельдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. - М: Мир, 1989. - 344 с.
18. Физические основы, аппаратура и методы электронной спектроскопии : Метод. указания к лабораторным работам / Сост. Паршин А.С. - Красноярск: САА, 1993. - 28 с.
19. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. Ц М.: Мир, 1989. - 240 с.
20. Чуев М.А., А.А. Зайцев, Пашаев Э.М. Влияние d-легированного слоя на формирование кривой дифракционного отражения. Поверхность. 1999. № 2. С. 110-113.
21. Эмиссионная электроника: Метод. указания к лабораторным работам / Сост. Паршин А.С. - Красноярск: САА, 1994. - 38 с.