Два гальванических элемента имеют ЭДС ε1= 2 В и ε2= 4 В, резистор R1 имеет сопротивление 0,5 Ом. Падение напряжения U1 на ре¬зисторе с сопротивлением R2 .

яется по закону I = b*t3, где b>0 и b = const. Проводник параллелен одной из сторон рамки. Определить: 1) магнитный поток, пронизывающий площадь рамки; 2) ЭДС индукции, наведенную в рамке; 3) силу ток

вплотную прилегающих друг к другу, диаметром d = 0,5 мм с изоляцией ничтожной толщины надо намотать на картонный цилиндр диаметром D = 1,5 см, чтобы по¬лучить однослойную катушку индуктивностью L = 1

углерода до р2=0,5МПа. Начальная температура двуокиси углерода t1=-5C и давление р1=0,1МПа. Определить работу затраченную на сжатие 1кг двуокиси углерода и конечную температуру двуокиси углерода, если

ть одну четную зону? Амплитуды волн от всех зон считать одинаковыми.1. Не изменится. 2. Увеличится в 2 раза. 3. Увеличится в 4 раза. 4. Уменьшится в 2 раза. 5. Уменьшится на 1/5 прежней интенсивно

подробное решение