«Разогрев носителей заряда. Ударная ионизация. Пинч-эффект.» .

Введение Разогрев носителей заряда происходит из-за воздействия света, электрического поля, электромагнитное излучение СВЧ, КВЧ и др. частотных диапазонов. Из этих воздействий наиболее естественным и распространенным, а также и наиболее практически значимым является воздействие на полупроводник сильного постоянного электрического поля или сильного электромагнитного СВЧ- или КВЧ –полей. В сильных электрических полях, приводящих к разогреву носителей заряда, в полупроводниках наблюдается целый ряд специфических явлений, которые часто называют также эффектами сильного поля. К ним относятся нарушение закона Ома, изменение подвижности носителей заряда, ударная ионизация, туннелирование (термополевая эмиссия), эффект отрицательной дифференциальной подвижности и эффект Ганна в многодолинных полупроводниках, анизотропия проводимости, изменение скорости звуковых и плазменных волн и др. Явления, возникающие в полупроводниках в сильных электрических полях, используются для создания генераторов, усилителей и преобразователей СВЧ- и КВЧ- диапазонов[1].

Введение 3 Разогрев носителей заряда 4 Степень "разогрева" 4 Отклонения от закона Ома 6 Поведение носителей заряда 8 при сильных электрических полях 8 Пинч-эффект в твердых телах 14 Литература 19

1) Михайлов А.И., Сергеев С.А., Физические основы твердотельной электроники, СГУ, 2007.
2) Денис В., Пожела Ю., Горячие электроны, Вильнюс, 1971
3) Конуэлл Э., Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях, пер. с англ., M., 1970;
4) Зи С., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., М., 1984.
5) Владимиров В.В., Пинч-эффект в плазме твердого тела, УФН, т. 117, вып. 1, 1975.
6) Шотов А.П., Гришечкина С.П., Муминов Р.А., Письма ЖЭТФ, в.6, стр.895, 1967.