Содержание
Стр.
1. Введение

2
2. Подложки интегральных микросхем и их назначение

3
2.1. Назначение подложек
3
2.2. Кремний - основной материал полупроводникового производства 4
3. Виды загрязнений поверхности подложек и пластин

5
3.1. Возникновение загрязнений

5
3.2. Источники загрязнений

6
3.3. Виды загрязнений 6
4. Методы удаления загрязнений
8
4.1. Классификация методов очистки пластин и подложек 8
4.2. Способы жидкостной обработки пластин и подложек
9
4.2.1. Обезжиривание

9
4.2.2. Травление

10
4.2.3. Промывание пластин и подложек

13
4.2.4. Интенсификация процессов очистки 13

4.3. Способы сухой очистки пластин и подложек 15
4.3.1. Термообработка

15
4.3.2. Газовое травление

16
4.3.3. Ионное травление

17
4.3.4. Плазмохимическое травление

17
4.4. Типовые процессы очистки пластин и подложек 19
5. Заключение

20
6. Список литературы
20

1. Введение

Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС) во всех радиотехнических системах и аппаратуре. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. За каждое десятилетие число элементов в аппаратуре увеличивается в 5-
20 раз. Разрабатываемые сейчас сложные комплексы аппаратуры и системы содержат миллионы и десятки миллионов элементов. В этих условиях исключительно важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов, микроминиатюризации электро-радиокомпонентов и комплексной миниатюризации аппаратуры. Все эти проблемы успешно решает микроэлектроника.

Интегральная и функциональная микроэлектроника являются фундаментальной базой развития всех современных систем радиоэлектронной аппаратуры. Они позволяют создавать новый вид аппаратуры - интегральные радиоэлектронные устройства.
Микроэлектроника - одно из магистральных направлений в радиоэлектронике, и уровень ее развития в значительной степени определяет уровень научно- технического прогресса страны.

Применяют два основных метода изготовления ИМС - полупроводниковый и пленочный.

Первый метод заключается в локальной обработке микроучастков полупроводникового кристалла и придании им свойств, присущих функциям отдельных элементов и их соединений (полупроводниковые интегральные микросхемы).

Второй метод основан на использовании послойного нанесения тонких пленок различных материалов на общее основание (подложку) при одновременном формировании на них схемных элементов и их соединений (пленочные интегральные микросхемы).

В обоих случаях важное значение имеет качество обработки поверхности полупроводниковых пластин и подложек.

* Подложка - заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИМС, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.

2. Подложки интегральных микросхем и их назначение.

Подложки в технологии изготовления и конструировании пленочных и гибридных ИМС в микросборках играют очень важную роль. Подложки являются основанием для группового формирования на них ИМС, главным элементом конструкции ИМС и микросборок, выполняющим роль механической опоры, обеспечивают теплоотвод и электрическую изоляцию элементов.
2.1. Назначение подложек.