Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6 | Следующая страница реферата

Рис. 2.1. Окно ввода данных (задача№2)

Затем выводится окно, в котором представлены результаты расчета (Рис.
2.2.).

[pic]

Рис. 2.2. Результаты расчета задачи№2

3. Расчет ионно-имплантированных структур с покрытием и без покрытия.

. Данная задача находится еще в проекте!

3. Математическая модель.

Задача№1:

Глубина проникновения в вещество характеризуется пробегом. Траектория отдельных ионов в кристалле подобны ломанным линиям, каждый прямолинейный участок и полная длина которых отличаются друг от друга. Вся совокупность пробегов отдельных ионов группируется по закону нормального распределения случайной величины со значением среднего полного пробега R и среднеквадратичным отклонением пробега (R. Практическую важность имеет средний нормальный пробег Rp – проекция траектории среднего полного пробега на направление первоначальной скорости иона и его среднеквадратичное отклонение (Rp. Для расчета среднего полного пробега R (см) иона с энергией
Е (эВ) используют формулы, в которых энергия и пробег выражены в безразмерных единицах ( и ( соответственно:

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

Здесь L-нормирующий множитель пробега, см-1; F-нормирующий множитель энергии, 1/эВ.

Радиус экранирования заряда ядра атомными электронами (см):

[pic]

Коэффициент передачи ионом с массой М1 атому с массой М2 максимально возможной энергии при лобовом столкновении:

[pic]

Коэффициенты, учитывающие торможение, обусловленное ядерным электронным взаимодействием:

[pic]

[pic]

Параметры, учитывающие торможение, обусловленные ядерным взаимодействием, с=0.45, d=0.3.

Собственная концентрация атомов в кристалле N2, см-3, заряды ядер иона Z1, атомов мишени Z2.

Профили распределения концентрации внедренных ионов определяются характером распределения средних нормальных пробегов по глубине облученного слоя. Пучок ионов, попадая в такие вещества, испытывает случайные столкновения с атомами, и распределение пробегов описывается законом распределения случайной величины. Аналогичная ситуация наблюдается и в монокристаллах, если ионный пучок попадает на произвольную ориентированную поверхность пластины относительно кристаллографических направлений с малыми индексами, например вдоль оси (763). Такое внедрение называют не ориентированным. В этом случае профиль внедренных атомов описывается, как и для аморфных веществ, кривой Гаусса:

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: ответы 11 класс, рефераты дипломы курсовые, изложение.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6 | Следующая страница реферата