Экспериментальные исследования диэлектрических свойств материалов (№30)

| Категория реферата: Рефераты по физике
| Теги реферата: отчет о прохождении практики, ценные бумаги реферат
| Добавил(а) на сайт: Гунин.

Опыт № 3. Исследование зависимости диэлектрической проницаемости среды от частоты внешнего поля.
U1= 5В, R=120Ом.

[pic] [pic] [pic]

|40 |0,029 |0,059 |10,2 |192 |391 |2,04 |
|60 |0,041 |0,089 |6,7 |181 |393 |2,07 |
|80 |0,051 |0,115 |5,2 |169 |381 |2,25 |
|100 |0,068 |0,146 |4,1 |180 |387 |2,15 |
|120 |0,078 |0,171 |3,5 |172 |378 |2,18 |
|140 |0,090 |0,197 |3,0 |181 |373 |2,18 |
|160 |0,101 |0,223 |2,7 |167 |370 |2,21 |
|180 |0,115 |0,254 |2,4 |169 |374 |2,21 |
|200 |0,125 |0,281 |2,2 |166 |372 |2,24 |

По графику зависимости ( = F(f) видно, что диэлектрическая проницаемость среды не зависит от частоты внешнего поля. График зависимости ХС=F(1/f) подтверждает, что емкостное сопротивление зависит от 1/f прямо пропорционально.

Опыт № 4. Исследование зависимости емкости конденсатора от угла перекрытия диэлектрика верхней пластиной.
U1= 5В, R=120Ом, f=60 кГц, d=0,002м, r=0,06м, n=18.

[pic]
[pic]
[pic]

|(,0 |U2,В |С, пкФ |Стеор, пкФ |
|0 |0,039 |172 |150 |
|10 |0,048 |212 |181 |
|20 |0,056 |248 |212 |
|30 |0,063 |279 |243 |
|40 |0,072 |318 |273 |
|50 |0,080 |354 |304 |
|60 |0,089 |393 |335 |

Опыт № 5. Измерение толщины диэлектрической прокладки.

U1= 5В, R=120Ом, f=60 кГц.
Схема конденсатора с частичным заполнением диэлектриком.

U2 (стеклотекстолит тонкий)=0,051В,
U2 (стеклотекстолит толстый)=0,093В,
U2 (воздух)=0,039В.

[pic]

С0 =172пкФ - без диэлектрика;
С1 = 411пкФ - стеклотекстолит толстый;
С1 = 225пкФ - стеклотекстолит тонкий.
[pic]; [pic] ; [pic]; [pic];
[pic]; [pic]; [pic];

[pic]

Вывод: На этой работе мы определили диэлектрическую проницаемость и поляризационные характеристики различных диэлектриков, изучили электрические свойства полей, в них исследовали линейность и дисперсность диэлектрических свойств материалов.