Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата

Рисунок 1.1.2. Квадрат коэффициента поглощения от энергии фотонов при 5 К

(кривая 2) и 300 К (кривая 1) у края собственного поглощения AlN [2].

[pic]

Рисунок 1.1.3. Интенсивность синей люминесценции (кривые a и b) и интенсивность отражения (кривая c) от энергии фотонов при 300 К [1].

Cпектр возбуждения стационарной люминесценции (рис. 3.4.3.) имеет комплексную структуру в области от 4 до 22 эВ. Поляризация в данных измерениях не учитывалась. Пик в области 4.5 эВ обусловлен прямым возбуждением примесных центров, пик в области 4.7 эВ — началом прямых межзонных переходов. Вид кривой возбуждения в области 8 — 22 эВ коррелирует с кривой отражения (рис 3.4.3., кривая с): максимум кривой фотовозбуждения соответствует минимуму отражения. Это подтверждает предположение, что квантовая эффективность определяется потерями на отражение и поверхностную безызлучательную рекомбинацию. При энергиях значительно больших чем ширина запрещенной зоны, в районе от 28 до 30 эВ, сильное возрастание интенсивности люминесценции объясняется началом фононного умножения. Спектр люминесценции порошкообразного AlN имеет такой же характер.

Существование на кривой отражения пиков в областях [pic] эВ и [pic] эВ, группы пиков в области от 10 до 16 эВ с максимумом при 13.8 эВ, и в области 17.5 эВ обусловлено межзонными переходами. Существующие на данный момент результаты расчетов электронной структуры не дают пока ясных и недвусмысленных данных. Общий вид кривой отражения имеет характер, сходный с кривыми отражения других полупроводниковых материалов типа A3B5 в области переходов из валентной зоны в зону проводимости.

В более поздних исследованиях пленки AlN были исследованы более подробно. В работе [7] приводятся сравнительные данные оптических свойств пленок, кристаллов и порошкообразных фаз нитрида алюминия.

Эпитаксиальные пленки AlN были получены на сапфировой подложке. Ориентация образцов — [pic]. Скорость роста пленки из газовой фазы — около 2 ангстрем/с. Кристаллическая структура была определена с помощью рентгеновского спектрометра и метода дифракции отраженных электронов. Ось с в AlN отклонена на 280 и лежит в плоскости, перпендикулярной оси с/ сапфира как показано на рис. 1.1.5.

В качестве источника излучения использовалась дейтериевая лампа с окном из MgF2. Монохроматическое излучение было получено с помощью спектрометра Сея-Намиока. Разрешение — 2 ангстрема. Свет поляризовался вогнутым стеклянным зеркалом с углом Брюстера 600 , расположенным перед монохроматором. Степень поляризации -- не менее 0.93 во всем энергетическом диапазоне эксперимента.

На рис. 1.1.5. показан спектр поглощения около края при комнатной температуре и температуре жидкого азота. Шкала оси ординат представляет собой единицы оптической плотности, определяемые как OD=log(I0/I), где Io и
I — интенсивности падающего и прошедшего через образец света. Кривая поглощения растет до 6 эВ и имеет площадку при 6.2 эВ, что представляет собой “насыщение” интенсивности поглощения при росте энергии до 6.3. эВ.
Интенсивность поглощения продолжает расти с ростом энергии падающего излучения. Коэффициент поглощения при 6.2 эВ равен примерно 105 см-1, поскольку толщина пленки составляла 800 ангстрем. При низких температурах поглощение сдвигается в область высоких энергий примерно на 0.03 эВ.

Величина коэффициента поглощения и характер кривой спектра заставляют думать, что прямой зазор в AlN составляет 6 эВ. Более точное значение запрещенной зоны непросто определить из рис. 1.1.6, поскольку спектр широк даже при низких температурах. Однако, следует заметить, что “площадка” при
6.2. эВ может появляться из-за образования свободных экситонов, ассоциированных с прямым энергетическим зазором, и при условии, что экситонный пик широк.

Спектр поглощения в поляризованном свете приведен на рис. 1.1.7.
Поскольку ось с в AlN наклонена по отношению к нормали к поверхности на
280, один из спектров был получен при поляризации света перпендикулярно оси а, а другой — параллельно.

[pic]

Рисунок 1.1.5. Спектры отражения эпитаксиальных пленок AlN, кристаллов и спрессованного и порошкообразного нитрида алюминия [7].

[pic]

Рисунок 1.3.6. Спектр поглощения AlN в поляризованном свете [7].

[pic]

Рисунок 1.1.7. Спектр поглощения пленки AlN при комнатной температуре и температуре 5К [7].

1.2. Зонная структура AlN.

Данная зонная структура AlN была приведена в работе [3].

Параметры решетки, использовавшиеся для расчета зонной структуры AlN следующие: a=3.111 A, c/a=1.6, u=0.385. Фурье- коэффициенты потенциала для векторов обратной решетки, q, большие чем [pic], принимались за 0, чтобы привести матрицу Гамильтониана к приемлемому виду. Энергетическая зависимость параметров модели игнорировалась, но k-зависимость потенциала явно учитывалась.

Значения энергетических зазоров в каждой точке зоны Бриллюэна получаются путем диагонализации матрицы гамильтониана. Это было сделано в
70 точках. Затем, несокращаемые величины были определены с помощью таблиц
Рашба. Корректировка с учетом спин-орбитального взаимодействия не проводилась, поскольку это величины малы.

Рассчитанные зонные структуры AlN при комнатной температуре показаны на рисунке 1.2. В таблице 1.2. приведены некоторые наиболее важные энергетические переходы. Видно, что самый маленький энергетический зазор прямой и находится в центре зоны Бриллюэна. Символы [pic] и // показывают, что наиболее сильное поглощение наблюдается при поляризации падающего излучения перпендикулярно и параллельно оси с соответственно.

[pic]

Рисунок 1.2. Зонная структура AlN, показанная на приведенной ЗБ вюрцита.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: лечение пяточной шпори, реферат на тему вода.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата