Зміст

Вступ………………………………………………………………………………………4

1. Огляд різноманітних методів помноження частоти на

напівпровідникових приладах………………………………………………...………5

2. Розробка і розрахунок помножувача частоти на ЛПД

2.1. Принцип роботи ЛПД………………………………………………….…..…..11

2.2. Конструкція ЛПД……………………………………………………………….12

2.3. Розрахунок помножувача частоти на ЛПД………………………………...18

Висновки....……………………………………………………………………………...25

Список літератури……………………………………………………………….……..26

Додаток……………………………………………………………………………….…27

Реферат

У звіті з переддипломної практики подані результати моделювання помножувача частоти міліметрового діапазону з малим коефіцієнтом втрат на помноження. Особливістю приладу, що моделюється є велика кратність помноження, що дозволяє використовувати в системах

НВЧ високостабільні і переналагоджувальні в широкому діапазоні генератори низьких частот. Це веде до спрощення і підвищення технічних характеристик приладів. Результати проведених теоретичних досліджень підтверджують слушність обраного напрямку побудови помножувача частоти і можливість здійснення простого переносу спектра сигналу з частот від декількох ГГц до сотень ГГц.

Вступ

Метою роботи є розробка і розрахунок помножувача частоти великої кратності міліметрового діапазону з малими втратами на помноження на основі ЛПД.

Необхідність створення таких помножувачів обумовлена тим, що на частотах міліметрового діапазону створення високостабільних генераторів являє собою достатньо складну задачу. На відносно низьких частотах ці задачі вирішуються просто. Виникає необхідність помноження частоти з малими втратами, великою кратністю, а також із зберіганням спектральної характеристики вхідного сигналу. Така задача може бути вирішена на основі ЛПД, у якому, через сильну нелінійність лавини, при подачі на кристал синусоїдального сигналу, поблизу максимумів напруг з'являється гострий пік струму, багатий гармонійними складовими. Якщо підібрати довжину кристала таким чином, що вихідна помножена частота буде лежати в області від’ємної провідності діода, то відбувається підсилення вихідного сигналу, що призводить до зниження втрат на помноження. У даній роботі методом математичного моделювання досліджується робота такого типу помножувача. Для опису процесів у кристалі використовується локально- польова модель ЛПД, у якій швидкість і час переходу між долинами станів рахується миттєвою функцією прикладеного поля. Зовнішня схема вихідного ланцюга вибирався у виді коливального контуру або ланцюжки контурів; і рівняння коливальних контурів вирішуються разом із рівняннями, що описують ЛПД.

1. Огляд різноманітних методів помноження частоти на напівпровідникових приладах

У помножувачах частоти на напівпровідникових приладах

(мал.1.1) використовуються явища й ефекти, що призводять до нелінійних опорів або нелінійних ємностей (помножувачі NR- і NC- типів).

Мал. 1.1. Класифікація помножувачів частоти на напівпровідникових приладах

У діодних помножувачах частоти типу NR (ДПЧ) поява гармонік пов'язано з випрямленням (детектуванням) вхідного сигналу, причому в якості детекторів частіше застосовуються діоди з прижимним контактом і діоди з бар'єром Шоттки.

Якщо вольт-амперна характеристика діоду являє собою функцію струму, що не зменшується, від напруги, то при ідеальному випрямленні коефіцієнт передачі потужності основної частоти в потужність гармоніки не може перевищувати 1/n2:

[pic] де n - номер гармоніки, що виділяється; Рвих - потужність n-ої гармоніки в навантаженні; Рвх— потужність основної частоти (на вході помножувача); ? - коефіцієнт передачі потужності .

ТАБЛИЦЯ 1.1
|n |2 |3 |4 |5 |6 |7 |8 |9 | 10 |
| ?max | | |0,06| |0,02| |0,015|0,012| 0,01|
| |0,25|0,11|3 |0,04|7 |0,02|6 |3 | |
| Lmin, | 6 | 9,6| 12 | 14 |15,7|16,9| 18,1| 19,1| 20 |
|дБ | | | | | | | | | |