Явление политипизма и методы получения различных политипов в SiC
| Категория реферата: Рефераты по физике
| Теги реферата: конспект подготовительная группа, план конспект урока
| Добавил(а) на сайт: Chesnokov.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4
Основные моменты и явление политипизма………………………………………………………1
Политипизм в SiC…………………………………………………………………………………...1
Выращивание кристаллов SiC из пара методом Бриджмена-
Стокбаргера……………………...2
Эпитаксиальный рост кубического SiC……………………………………………………………6
Заключение…………………………………………………………………………………………10
Список использованной литературы……………………………………………………………..10
Скачали данный реферат: Анишин, Inna, Galkin, Kolpakov, Bronislav, Мисаил, Pankratij.
Последние просмотренные рефераты на тему: курсовая работа по менеджменту, банковские рефераты, реферат на тему политика, конспект урока культура.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4
Главная