Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

. Более низкое соотношение $/МБ

. При равном размере микросхем и одинаковом техпроцессе "обычной" и MLC- памяти, последняя способна хранить больше информации (размер ячейки тот же, а количество хранимых в ней бит - больше)

. На основе MLC создаются микросхемы большего, чем на основе однобитных ячеек, объёма
Основные недостатки MLC:

. Снижение надёжности, по сравнению с однобитными ячейками, и, соответственно, необходимость встраивать более сложный механизм коррекции ошибок (чем больше бит на ячейку - тем сложнее механизм коррекции ошибок)

. Быстродействие микросхем на основе MLC зачастую ниже, чем у микросхем на основе однобитных ячеек

. Хотя размер MLC-ячейки такой же, как и у однобитной, дополнительно тратится место на специфические схемы чтения/записи многоуровневых ячеек
Технология многоуровневых ячеек от Intel (для NOR-памяти) носит название
StrtaFlash, аналогичная от AMD (для NAND) - MirrorBit
3.2 Архитектура флэш-памяти.
Существует несколько типов архитектур (организаций соединений между ячейками) флэш-памяти. Наиболее распространёнными в настоящее время являются микросхемы с организацией NOR и NAND.
|NOR (NOT OR, ИЛИ-НЕ) |
|[pic] |Ячейки работают сходным с|
| |EPROM способом. Интерфейс|
| |параллельный. |
| |Произвольное чтение и |
| |запись. |
| |Преимущества: быстрый |
| |произвольный доступ, |
| |возможность побайтной |
| |записи. |
| |Недостатки: относительно |
| |медленная запись и |
| |стирание. |
| |Из перечисленных здесь |
| |типов имеет наибольший |
| |размер ячейки, а потому |
| |плохо масштабируется. |
| |Единственный тип памяти, |
| |работающий на двух разных|
| |напряжениях. |
| |Идеально подходит для |
| |хранения кода программ |
| |(PC BIOS, сотовые |
| |телефоны), идеальная |
| |замена обычному EEPROM. |
| |Основные производители: |
| |AMD, Intel, Sharp, |
| |Micron, Ti, Toshiba, |
| |Fujitsu, Mitsubishi, |
| |SGS-Thomson, |
| |STMicroelectronics, SST, |
| |Samsung, Winbond, |
| |Macronix, NEC, UMC. |
| |Программирование: методом|
| |инжекции "горячих" |
| |электронов |
| |Стирание: |
| |туннеллированием FN |
|NAND (NOT AND, И-НЕ) |
|[pic] |Доступ произвольный, но |
| |небольшими блоками |
| |(наподобие кластеров |
| |жёсткого диска). |
| |Последовательный |
| |интерфейс. Не так хорошо,|
| |как AND память подходит |
| |для задач, требующих |
| |произвольного доступа. |
| |Преимущества: быстрая |
| |запись и стирание, |
| |небольшой размер блока. |
| |Недостатки: относительно |
| |медленный произвольный |
| |доступ, невозможность |
| |побайтной записи. |
| |Наиболее подходящий тип |
| |памяти для приложений, |
| |ориентированных на |
| |блочный обмен: MP3 |
| |плееров, цифровых камер и|
| |в качестве заменителя |
| |жёстких дисков. |
| |Основные производители: |
| |Toshiba, AMD/Fujitsu, |
| |Samsung, National |
| |Программирование: |
| |туннеллированием FN |
| |Стирание: |
| |туннеллированием FN |
|AND (И) |
|[pic] |Доступ к ячейкам памяти |
| |последовательный, |
| |архитектурно напоминает |
| |NOR и NAND, комбинирует |
| |их лучшие свойства. |
| |Небольшой размер блока, |
| |возможно быстрое |
| |мультиблочное стирание. |
| |Подходит для потребностей|
| |массового рынка. |
| |Основные производители: |
| |Hitachi и Mitsubishi |
| |Electric. |
| |Программирование: |
| |туннеллированием FN |
| |Стирание: |
| |туннеллированием FN |
|DiNOR (Divided bit-line NOR, ИЛИ-НЕ с разделёнными разрядными линиями) |
|[pic] |Тип памяти, комбинирующий|
| |свойства NOR и NAND. |
| |Доступ к ячейкам |
| |произвольный. Использует |
| |особый метод стирания |
| |данных, предохраняющий |
| |ячейки от пережигания |
| |(что способствует большей|
| |долговечности памяти). |
| |Размер блока в DiNOR |
| |всего лишь 256 байт. |
| |Основные производители: |
| |Mitsubishi Electric, |
| |Hitachi, Motorola. |
| |Программирование: |
| |туннеллированием FN |
| |Стирание: |
| |туннеллированием FN |
|Примечания: В настоящее время чаще всего используются память с |
|архитектурой NOR и NAND. Hitachi выпускает многоуровневую AND-память с |
|NAND-итерфейсом (SuperAnd или AG-AND [Assist Gate-AND]) |

Доступ к флэш-памяти

Существует три основных типа доступа:

. обычный (Conventional): произвольный асинхронный доступ к ячейкам памяти.

. пакетный (Burst): синхронный, данные читаются параллельно, блоками по

16 или 32 слова. Считанные данные передаются последовательно, передача синхронизируется. Преимущество перед обычным типом доступа - быстрое последовательное чтение данных. Недостаток - медленный произвольный доступ.

. страничный (Page): асинхронный, блоками по 4 или 8 слов. Преимущества: очень быстрый произвольный доступ в пределах текущей страницы.

Недостаток: относительно медленное переключение между страницами.

Примечание: В последнее время появились микросхемы флэш-памяти, позволяющие одновременную запись и стирание (RWW - Read While Write или Simultaneous
R/W) в разные банки памяти.

5. Карты памяти (флэш-карты)

Наиболее распространенные типы карт памяти: CompactFlash (CF) (I,II),
MultiMedia Card, SD Card, Memory Stick, SmartMedia, xD-Picture Card, PC-
Card (PCMCIA или ATA-Flash). Существуют и другие портативные форм-факторы флэш-памяти, однако встречаются они намного реже перечисленных здесь.
Флэш-карты бывают двух типов: с параллельным (parallel) и с последовательным (serial) интерфейсом.
Параллельный:

. PC-Card (PCMCIA или ATA-Flash)

. CompactFlash (CF)

. SmartMedia (SSFDC)
Последовательный:

. MultiMedia Card (MMC)

. SD-Card (Secure Digital - Card)

. Sony Memory Stick

PC-Card (PCMCIA) или ATA Flash

Интерфейс: параллельный
Самым старым и самым большим по размеру следует признать PC Card (ранее этот тип карт назывался PCMCIA [Personal Computer Memory Card International
Association]). Карта снабжена ATA контроллером. Благодаря этому обеспечивается эмуляция обычного жесткого диска. В настоящее время флэш- память этого типа используется редко. PC Card бывает объемом до 2GB.
Существует три типа PC Card ATA (I, II и III). Все они отличаются толщиной
(3,3 5,0 и 10,5 мм соответственно). Все три типа обратно совместимы между собой (в более толстом разъеме всегда можно использовать более тонкую карту, поскольку толщина разъема у всех типов одинакова – 3,3 мм). Питание карт - 3,3В и 5В. ATA-flash как правило относится к форм фактору PCMCIA
Type I.
|Тип |Длина |Ширина |Толщина |Использование |
|Type I|85,6 мм|54 мм |3,3 мм |Память (SRAM, DRAM, Flash и т. д) |
|Type |85,6 мм|54 мм |5 мм |Память, устройства ввода-вывода |
|II | | | |(модемы, сетевые карты и т. д) |
|Type |85,6 мм|54 мм |10,5 мм |Устройства хранения данных, жёсткие |
|III | | | |диски |

PC-Card Flash бывают двух типов: PCMCIA Linear Flash Card и ATA Flash Card
(Flash Disk). Linear встречается намного реже ATA flash и не совместим с последним. Отличие между ними состоит в том, что ATA Flash содержит в себе схему, позволяющую эмулировать обычный HDD, автоматически помечать испорченные блоки, и производить автоматическое стирание блоков.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: конспект урока 5 класс, оформление доклада.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата