Устройство и назначение системы BIOS ЭВМ
| Категория реферата: Рефераты по информатике, программированию
| Теги реферата: шпоры по гражданскому, рефераты
| Добавил(а) на сайт: Romanenko.
Предыдущая страница реферата | 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 | Следующая страница реферата
SDRAM CAS Latency Time (Время задержки SDRAM CAS [Column Address Strobe])
Опции: 2, 3
Управляет задержкой времени (по периодам синхронизирующих импульсов) которая происходит до момента когда SDRAM начинает выполнять команду считывания (read command) после ее получения. Также определяет значение "цикла таймера" для завершения первой части пакетной передачи. Таким образом, чем меньше время ожидания, тем быстрее происходит транзакция. Однако некоторые SDRAM не в состоянии обеспечить меньшее время ожидания, становятся нестабильными и теряют данные.Таким образом, по возможности устанавливайте Время ожидания
(SDRAM CAS Latency Time) в поз.2 для оптимальной производительности, но увеличивайте до 3 если система становится нестабильной.
SDRAM Cycle Time Tras/TrcTras/Trc (время цикла памяти SDRAM)
Опции: 5/6, 6/8
Эта функция позволяет изменить минимальное количество циклов памяти требуемых для Tras и Trc в SDRAM. Tras означает SDRAM`s Row Active
Time (время активности ряда SDRAM ), т.е. период времени в течение которого ряд открыт для переноса данных. Также существует термин
Minimum RAS Pulse Width (минимальная длительность импульса RAS ). Trc, с другой стороны, означает SDRAM`s Row Cycle Time (цикл памяти/время цикла ряда SDRAM), т.е. период времени в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (row-open, row-refresh cycle).
Установкой по умолчанию является 6/8, более медленной и стабильной чем
5/6. Однако, 5/6 быстрее сменяет циклы в SDRAM, но может не оставлять ряды открытыми на период времени достаточный для полного завершения транзакции данных. Это особенно справедливо для SDRAM с тактовой частотой свыше 100MHz. Следовательно, следует попробовать 5/6 в целях увеличения производительности SDRAM, но следует увеличить до 6/8 если система становится нестабильной.
SDRAM RAS-to-CAS Delay (Задержка SDRAM RAS-to-CAS)
Опции: 2, 3
Эта опция позволяет вам вставить задержку между сигналами RAS (Row
Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe). Это происходит когда что-то записывается, обновляется или считывается в SDRAM. Естественно, что уменьшение задержки улучшает производительность SDRAM, а увеличение, наоборот, ухудшает производительность SDRAM.Таким образом, уменьшайте задержку со значения 3 (default) до 2 для улучшения производительности SDRAM. Однако, если уменьшения задержки возникает проблема со стабильностью, то установите значение обратно на 3.
SDRAM RAS Precharge Time (Время предварительного заряда RAS SDRAM)
Опции: 2, 3
Эта опция устанавливает количество циклов необходимых, чтобы RAS накопил свой заряд перед обновлением SDRAM. Уменьшение времени предзаряда до 2 улучшает производительность SDRAM, но если эта установка недостаточна для установленного SDRAM, то SDRAM может обновляться некорректно и не сможет удерживать данные. Таким образом, для улучшения производительности SDRAM, устанавливайте SDRAM RAS
Precharge Time на 2, но увеличивайте до 3, если уменьшение времени предзаряда вызывает проблемы со стабильностью.
SDRAM Cycle Length (Длина цикла SDRAM)
Опции: 2, 3
Данная характеристика сходна с SDRAM CAS Latency Time. Управляет задержкой времени (по периодам синхронизирующих импульсов) которая происходит до момента когда SDRAM начинает выполнять команду считывания (read command) после ее получения. Также определяет значение "цикла таймера" для завершения первой части пакетной передачи. Таким образом, чем меньше длина цикла, тем быстрее происходит транзакция. Однако, некоторые SDRAM не в состоянии обеспечить меньшую длину цикла, становясь нестабильными. По возможности устанавливайте SDRAM Cycle Length в поз.2 для оптимальной производительности, но увеличивайте до 3 если система становится нестабильной.
SDRAM Leadoff Command (время доступа к первому элементу пакета данных)
Опции: 3, 4
Данная опция позволяет вам подстроить значение leadoff time, периода времени требуемого до того как можно будет получить доступ к данным хранимым в SDRAM. В большинстве случаев это время доступа к первому элементу пакета данных. Для оптимальной производительности, для быстрого доступа к SDRAM устанавливайте значение на 3, но увеличивайте его до 4, если система становится нестабильной.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: сочинение по русскому, требования к реферату реферат на тему украина.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 | Следующая страница реферата