Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова
| Категория реферата: Рефераты по информатике, программированию
| Теги реферата: реферат традиции, чс реферат
| Добавил(а) на сайт: Тукай.
Предыдущая страница реферата | 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 | Следующая страница реферата
Tb.ж —то же, в точке у =0;
— градиент температуры в кристалле.
Основными параметрами, позволяющими управлять положением фронта кристаллизации, являются Tж0, dTТВ / dy, f. Если изменение высоты фронта кристаллизации от значения y1 до значения y2 происходит в результате соответствующего изменения температуры расплава от Тж, до Tж0, то
(26)
Аналогично при изменении скорости вытягивания
(27)
Изменение градиента в твердой фазе вызовет изменение высоты фронта кристаллизации:
(28)
Эксперименты показали, что при вытягивании прямоугольных кристаллов с поперечным сечением 40Х35 и 8Х80 мм или труб диаметром 40 мм с использованием затравок стационарное состояние устанавливается на длине кристалла 10—15 см.
Из основных результатов расчетов сделаны следующие выводы:
1. Максимальная высота жидкого столба уменьшается с ростом положительного градиента поверхностного натяжения (при вытягивании из перегретого расплава).и увеличивается с ростом отрицательного градиента поверхностного натяжения (при вытягивании из переохлажденного расплава). Влияние переохлаждения на высоту жидкого столба гораздо значительнее, чем влияние перегрева.
2. Эффект изменения высоты под влиянием градиента поверхностного натяжения тем больше, чем больше угол, образуемый профильной кривой у кромки формообразователя с горизонталью.
3. С увеличением диаметра отверстия формообразователя (уменьшением кривизны жидкого столба) влияние градиента поверхностного натяжения усиливается.
4. С ростом градиента поверхностного натяжения изменяются положение и форма профильной кривой относительно оси координат. Положительный градиент поверхностного натяжения сдвигает ее вправо, а отрицательный — влево.
Распределение температуры в растущем кристалле дается уравнением теплопроводности. Для определения термических напряжений необходимо решить по крайней мере двумерное уравнение теплопроводности. А. И. Губанов и А. А. Нраньян выполнили расчет распределения температуры в пластинах германия при вытягивании из расплава. Если направление вытягивания совпадает с осью Z, а ось Х перпендикулярна плоскости пластины, то уравнение теплопроводности для стационарных условий запишется в виде
(29)
где Т — температура, К;
f — скорость вытягивания;
с — теплоемкость;
р — плотность;
l — коэффициент теплопроводности, который зависит от температуры.
Зависимость К от Т можно представить:
;
где Tкр.ст. — температура кристаллизации;
lкр.ст. -- коэффициент теплопроводности при температуре Ткрист.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: налоги в россии, банк курсовых работ бесплатно.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 | Следующая страница реферата