Усилитель
рассчитываем при номинальном напряжении коллекторного питания и температуре 298
К. Расчет начинаем с выходного каскада.
Для
создания источника запирающего напряжения в цепи транзистора VT2 выбираем
кремниевый диод VD2 КД102А.
Параметры
диода:
U= 250 V.
I= 0.1 A.
I= 0.1 µA.
U= 1 V.
Выбираем
прямой ток диода VD2 2мА. И определяем прямое напряжение на диоде,
Равное
U=0.8 V. при
температуре 298 К. Тогда сопротивление резистора R5
R5=(Е- U)/I=(12-0.8)/0.002=5600
Ом.
Выбираем
номинальное сопротивление 5.6 кОм. ±5%
Мощность
рассеиваемая на резисторе учитывая максимальное коллекторное напряжение будет:
P≈ Е2 / R5
=14.42/5600=0.037 Вт.
Выбираем
резистор R5 МЛТ-0,125 5,6 кОм. ±5%.
Через
R5 и диод VD2 протекает ток:
I=(E- U)/R5=(12-0.8)/5600=0.002
А.
Ток
в цепи коллектора транзистора VT2 когда он находится в режиме насыщения, будет:
I=(Е- U- U)/R=(12-0.8-0.5)/320=0.0334
А.
Минимальное
напряжение на катушке реле Р1 когда транзистор VT2 находится в режиме
насыщения, с учетом неблагоприятных сочетаний параметров элементов схемы равно:
U=E- U- U=9.9-1-0.5=8.4
V.
Что
находится в допустимых пределах.
Максимальный
прямой ток диода VD2, когда транзистор VT2 насыщен, с учетом неблагоприятных
параметров элементов схемы равен:
IVD2.max.=IK.нас.+
IR5 ≈ EK.max. / RP1 + EK.max. / R5 =14.4/320+14.4/5600=0.0476 A.
Что
меньше максимально допустимого тока для диода типа КД102А.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: баллов, реферат субъекты.
Предыдущая страница реферата |
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 |
Следующая страница реферата