Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5

Профилирование по глубине, наиболее часто используемое в Оже-анализе, является техническим средством для получения распределения элементов по глубине образца посредством повторных измерений интенсивности Оже-электронов в определенном диапазоне энергий и ионного расссеяния. JAMP-7810 облегчает интерпретацию данных  профилирования по глубине за счет одновременного вывода на дисплей всех спектральных данных в определенном энергетическом диапазоне. Кроме того, JAMP-7810 может выдавать данные по профилированию по глубине до 20 точек одновременно.

Профилирование по глубине с вращением

Образец можно вращать в процессе ионного рассеяния с целью минимизировать влияние поверхностных неоднородностей, а значит, сохранить высокое разрешение по глубине. Для измерения профилирования по глубине с вращением к гониометрическому столику дополнительно прилагается устройство вращения образца. Более того, контрольный столик с моторным приводом устраняет отклонения анализируемой точки посредством компьютерной коррекции центра вращения.

Расшифровка профиля по глубине

Зачастую в спектральных характеристиках пики перекрываются между собой, что приводит либо к низкому качеству профилирования по глубине, либо к полной невозможности осуществления данной операции. JAMP-7810 снабжен пакетом программ (Windows-распознаватель, FILTER-FIT и др.) на жестком диске для прочтения и обработки получаемых данных оптимальным образом.

Метод факторного анализа

Оже-электронные спектры часто имеют скрытые пики, поскольку ширина пиков и многочисленные переносы приводят к перекыванию. Метод факторного анализа используется для проявления таких скрытых пиков в спектре. Необходимые расчеты производятся с помощью программы MATLAB, включающей в себя специальную функцию.

Оже-электронные изображения поперечных срезов

При обычном анализе по глубине получаем распределение элементов в отдельно взятой точке, в то время как Оже-изображения поперечных срезов дают информацию вдоль линии среза.

Список литературы

Арапов Б.А. и др.  Об одном пути усиления эффекта оже-деструкции в молекулярных системах. // Изв. вузов. Физика. - 2000.- т.43, N.1.  - с.98-100.

Карлосон Т. А. Фотоэлектронная и Оже-спектроскопия. – Л.: 1981.

Кнунянц И.Л. Химический энциклопедический словарь. – М.: Советская энциклопедия, 1983, 397с.

Паралис Э.С. Эффект Оже. – Таш.: 1969.

Прохоров А.М. Физический энциклопедический словарь. – М.: Советская энциклопедия, 1983, 483–484с.

Розанов Л.Н. Вакууьная техника. – М.: Высшая школа, 1990.

Шульман А.Р., Фридрихов С.А, Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. – М.: 1977.

Ivan P.Christov, Margaret M.Murane, and Henry C.Kapteyn. Phys.Rev.Lett., v.78, 1251 (1997).

M.Drescher, M.Hentschel, R.Kienberger et al., Science v.291 , 1923 (2001).

M.Drescher, M.Hentschel, R.Kienberger et al. Nature, v.419, 803 (2002).

Thomas Brabec and Ferenc Krausz. Rev.Mod.Phys., v.72, 545 (2000).

Еловиков С.С. Разрушение поверхности твердого тела медленными электронами // Соросовский Образовательный Журнал. 1999. № 10. С. 100 – 107.

Еловиков С.С. Оже-электронная спектроскопия // Там же. 2001. № 2. Том 7.  С. 82 – 88.

Петров В.И. Катодолюминесценция полупроводников в узких электронных пучках в сканирующем электронном микроскопе // Там же. 1997. № 10. С. 126 – 132.

Скачали данный реферат: Шаляпин, Лачинов, Il'ja, Пайков, Shastin, Samojlov.
Последние просмотренные рефераты на тему: решебник по математике, шпаргалка егэ, новшество, культурология как наука.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5