Элементы квантовой механики

| Категория реферата: Рефераты по науке и технике
| Теги реферата: сеть рефератов, антикризисное управление предприятием
| Добавил(а) на сайт: Koptil'nikov.

Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 | Следующая страница реферата

МДП ТРАНЗИСТОРЫ СО ВСТРОЕННЫМ КАНАЛОМ

Можно создать приповерхностный канал путём легирования слоя в процессе изготовления Т. Передаточные характеристики такого Т будут иметь вид:

Т.е. транзистор может работать как в режиме обогащения

Ic канала, так и в режиме обеднения. Входное напряжение

может быть разнополярным.

Выходные характеристики будут иметь вид:

Несмотря на свойство МДП Ic

транзистора со встроенным

каналом усиливать разнопо-

лярные сигналы, Т с индуци-

рованным каналом применяется Uз > 0

Uз чаще.

Uотс Uз = 0

Транзисторы с изолированным затвором обладают: Uз < 0

- большим Rвх, чем у полевых Т Uз = Uотсечения

- большей радиационной стойкостью

- большим быстродействием, особенно Т с n - каналом Uc

(подвижность n – носителей примерно в 3 раза > чем р).

В дальнейшем будем рассматривать схемы, построенные на транзисторах с изолированным затвором.

СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ МДП ТРАНЗИСТОРОВ

Хотя МДП транзистор и является четырёхполюсником, однако, управление со стороны подножки на практике не находит применения. Ввиду малой крутизны и сравнительно низкого Rвх. Наиболее широкое применение на практике нашла схема с общим истоком, имеющая некоторое сходство со схемой с общим эмиттером. Схема обладает высоким входным сопротивлением и носит ярко выраженный ёмкостной характер (схема а)).

+Еп