Интегральные микросхемы серии 500

| Категория реферата: Рефераты по науке и технике
| Теги реферата: продукт реферат, сочинение рассуждение
| Добавил(а) на сайт: Koliuh.

Характер процесса можно определить по следующим формулам :

tф > Cн х Rн - колебательный (транзистор открыт)

tф < Cн х Rн - переходной (транзистор закрыт)

Высокое быстродействие ИМС серии 500 обеспечивается специальной схемотехникой ЭСЛ ИМС - работой транзистора в ненасыщенном режиме, малой амплитутой сигнала,низкими выходным сопротивлением и технологи ей изготовления ИМС.

Основными динамическими параметрами ИМС серии 500 являются за держка распростронения информайии в элементе и фронт переключения из одного логического состояния в другое.

Динамические параметры ИМС серии 500,работающие в составе аппа ратуры,определяются в основном параметрами элементов, величинами наг рузочного сопротивления Rн и суммарной нагрузочной емкости Сн, под ключенных к выходу элемента. Динамические параметры ИМС серии 500 незначительно зависят от отклонения напряжения электропитания и изменения температуры окружающей среды.

Скачали данный реферат: Kalliopij, Савенков, Zinov'ev, Komjahov, Можаев, Глоба.
Последние просмотренные рефераты на тему: оформление доклада титульный лист, налоги в россии, шпаргалки по праву бесплатно, требования к реферату реферат на тему украина.