Исследование полупроводникового диода
| Категория реферата: Рефераты по науке и технике
| Теги реферата: скачать сочинение, конспекты уроков в 1 классе
| Добавил(а) на сайт: Яресько.
1 2 | Следующая страница реферата
Исследование полупроводникового диода.
Лабораторная работа
Цель работы
Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики.
Ход работы:
1. Подключить шнур питания к сети.
2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации.
3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1.
Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1.
4. Тумблер В - 1 поставить в положение 2.
Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 2.
UПР ,В |
I, A |
Uобр, В |
I, A |
||
0,6 |
10 |
2,5 |
10 |
||
0,65 |
15 |
5 |
14 |
||
0,7 |
20 |
7 |
20 Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат по биологии, математика. Категории:1 2 | Следующая страница реферата Поделитесь этой записью или добавьте в закладки |