Литография высокого разрешения в технологии полупроводников
| Категория реферата: Рефераты по науке и технике
| Теги реферата: скачать шпоры по праву, курсовики скачать бесплатно
| Добавил(а) на сайт: Kanadov.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата
Рис. 9. Зависимость предельного разре-шения от размера поля изображения для объективов 10Х и 5Х.
Считая характеристики степпера и сканера одинаковыми при воспроизведении 1,5-мкм линии, запишем выражение для производительности Т такой системы:
Т=3600/[tOH+N(talign+tprealign+tstep+
+texp)], (18)
где N - число шагов для степпера и N=0 для сканера; полное время tOH включает в себя время: экспозиции (texp); совмещения (talign); шагового сдвига (tstep); установки (tsetup); предсовмещения на длине волны 435 нм (tprealign).
Размеры экспонируемого поля определяет число шагов на единицу площади пластины.
Время экспонирования texp зависит от:
- толщины резиста;
- длины волны излучения лампового источника l;
- коэффициента поглощения резиста;
- толщины остаточного резиста;
- коэффициента отражения подложки;
- наличия усиливающего контраст слоя;
- интенсивности источника.
Процессы пошагового сдвига и совмещения оказывают основное влияние на производительность степпера. Использование мощных ртутных ламп или лазеров для метода экспонирования “вспышка на лету” позволит уменьшить время экспонирования до значений, меньших времени перемещения и совмещения. Толщина резиста и его коэффициент поглощения также влияют на производительность проекционной системы. Величина коэффициента поглощения резиста очень важна, так как определяет разрешение и скорость растворения резиста. Для уменьшения интерференционных эффектов на поверхность резиста или под него наносятся противоореольные слои, а также вводятся специальные примеси к резистам. Однако любые добавки к резистам или нанесение покрытия неизбежно будут поглощать излучение, и для компенсации эффекта внутренней фильтрации потребуется увеличение времени экспонирования. Интерференционные и дифракционные эффекты вызывают модуляцию интенсивности, и, следовательно, влияют на время экспозиции и ширину воспроизводимых линий. Экспонирование монохроматическим светом уменьшает дифракции Френеля, но усиливает эффект стоячих волн, которые возникают, если оптический путь кратен длине световой волны. В случае печати с зазором подбором зазора можно уменьшить эффект стоячих волн. Это достигается при следующих условиях:
n2=(n1n3)1/2,(19)
h2=l/4n2, (20)
где n1, n2, n3 - показатели преломления резиста вещества, заполняющего зазор, и подложки; h2 - величина зазора или толщина материала в зазоре.
Однако этот тип искажений гораздо сильнее проявляется при когерентном освещении.
В методе проекционной печати возможность контроля профиля и ширины воспроизводимых элементов рисунка фотошаблона определяется характеристиками проекционной оптики, контрастом резиста, коэффициентом отражения подложки и глубиной фокуса используемого объектива. Дифракция ведет к тому, что изображение полосок с промежутком 1.5 мкм подвержены сильному воздействию взаимного эффекта близости. Изменение профиля падающего пучка сильнее проявляется в искажении близко расположенных неэкспонируемых промежутков в позитивном резисте, нежели изолированной линии (рис.10).
Рис. 10. Изменение ширины линии в резисте при недо- и переэкспониро-вании.
В изображениях, находящихся вне фокуса из-за ступенчатого рельефа или искривлений пластины, тоже происходит уменьшение интенсивности экспонирующего излучения. Расфокусирование ±1 мкм соответствует 20%-ым потерям интенсивности или отклонению ширины линии от требуемого значения на ±2 мкм, в то время как для обеспечения изменения ширины линии в пределах ±0.1 мкм возможное отклонение интенсивности излучения не должно превышать ±5%.
При проекционной печати происходит накопление пыли на поверхности фотошаблона. Количество пропечатанных дефектов можно уменьшить применением пленочных покрытий (тонкая пленка полимера), которые дефокусируют изображение частиц пыли, оказывающихся в этом случае на некотором расстоянии от поверхности фотошаблона.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: сочинение на тему, реферат по обществознанию.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата