Предыдущая страница реферата | 8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 | Следующая страница реферата

4.    Ёмкость коллекторного перехода при  В пФ;

5.    Индуктивность вывода базы нГн;

6.    Индуктивность вывода эмиттера нГн.

Предельные эксплуатационные данные:

1.    Постоянное напряжение коллектор-эмиттер В;

2.    Постоянный ток коллектора А;

3.4.3 Расчёт эквивалентной схемы транзистора

Так как при расчётах схема Джокалетто не используется, то достаточно будет расчитать однонаправленную модель на ВЧ. Эквивалентная схема замещения транзистора имеет тот же вид, что и схема, представленная на рисунке 3.3.6. Расчёт её элементов производится по формулам, приведённым в пункте 3.3.3.

нГн;

пФ;

Ом

Ом;

3.4.4 Расчёт цепи термостабилизации

Как было сказано в пункте 3.3.4.2., для данного усилителя предпочтительней выбрать во всех каскадах активную коллекторную термостабилизацию.  Принципиальная схема её представлена на рисунке 3.3.8. Расчёт производится аналогично расчёту выходного каскада. Отличием является лишь то, что коллекторный ток  будет иметь другое значение.

В качестве VT1 возьмём транзистор КТ361А так как требуется меньшее рассеивание энергии чем в выходном каскаде. H21 транзистора КТ 361, используемое в ниже приведённых формулах равно H21=50. Выбираем падение напряжения на резисторе  из условия (пусть В), тогда . В результате получаем следующие значения:

Ом;

А;

В;

         А;

А;

Ом;

кОм.

         Ом

 На этом расчёт термостабилизации закончен.

 

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: россия диплом, реферат условия.





Предыдущая страница реферата | 8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 | Следующая страница реферата