Claw.ru | Рефераты по науке и технике | Усилители: конструкция и эксплуатация Усилители: конструкция и эксплуатация | Категория реферата: Рефераты по науке и технике | Теги реферата: контрольная, система реферат | Добавил(а) на сайт: Kulatov. Предыдущая страница реферата | 12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 | Следующая страница реферата	4·10-6
11	Печатная плата	1	0,0005·10-8
12	Пленочные подстроечные резисторы	1	2·10-6
13	Проводники	68	0,005·10-6
14	Разъемы	2	2,5·10-6
15	Электролитические конденсаторы	14	1,1·10-6

Интенсивность отказов всей схемы можно рассчитать по формуле:

L=åln·Nn

где - L - интенсивность отказов всей схемы.

ln - интенсивность отказов элементов схемы.

N - количество элементов схемы.

L=l1·N1+l2·N2+l3·N3+l4·N4+l5·N5+l6·N6+l7·N7+l8·N8+l9·N9+l10·N10+l11·N11+l12··N12+l13·N13+l14·N14+l15·N15=0,6·10-6·2+2,5·10-6·1+0,44·10-6·9+0,02·10-6·178+ +2,5·10-6·2+0,3·10-6·7+0,04·10-6·30+0,0001·10-6·193+1·10-6·178+4·10-6·3+
+0,0005·10-8·1+2·10-6·1+0,005·10-6·68+2,5·10-6·2+1,1·10-6·14=1,2+2,5+3,96+3,56+5+ +2,1+1,2+0,0193+178+12+0,000005+2+0,34+5+15,4=232,279305·10-6 1/ч.

где l1 - интенсивность отказов германиевых транзисторов

N1 - количество германиевых транзисторов

l2 - интенсивность отказов интегральных микросхем

N2 - количество интегральных микросхем

l3 - интенсивность отказов керамических монолитных конденсаторов

N3 - количество керамических монолитных конденсаторов

l4 - интенсивность отказов контактных площадок

N4 - количество контактных площадок

l5 - интенсивность отказов кремниевых диодов

N5 - количество кремниевых диодов

l6 - интенсивность отказов кремниевых транзисторов

N6 - количество кремниевых транзисторов

l7 - интенсивность отказов металлодиэлектрических резисторов

N7 - количество металлодиэлектрических резисторов

l8 - интенсивность отказов отверстий

N8 - количество отверстий

l9 - интенсивность отказов пайки

N9 - количество пайки

l10 - интенсивность отказов переменных пленочных резисторов

N10 - количество переменных пленочных резисторов

l11 - интенсивность отказов печатной платы

N11 - количество печатной платы

l12 - интенсивность отказов пленочных подстроечных резисторов

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: сочинение егэ, реферат скачать управление.





Предыдущая страница реферата | 12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 | Следующая страница реферата