Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

где –индуктивности выводов базы и эмиттера.

Входное сопротивление:

,                                                                                         (3.3.11)

Крутизна транзистора:

,                                                                     (3.3.12)

Выходное сопротивление:

.                                                                                 (3.3.13)

Выходная ёмкость:

.                                                                                        (3.3.14)

В соответствие с этими формулами получаем следующие значения элементов эквивалентной схемы:

нГн;

пФ;

Ом;

А/В;

Ом;

пФ.

3.3.4 Расчёт цепей термостабилизации и выбор         источника питания      

Существует несколько вариантов схем термостабилизации. Их использование зависит от мощности каскада и от того, насколько жёсткие требования к термостабильности. В данной работе рассмотрены три схемы термостабилизации: пассивная коллекторная, активная коллекторная и эмиттерная.

3.3.4.1 Пассивная коллекторная термостабилизация

Данный вид термостабилизации (схема представлена на рисунке 3.4) используется на малых мощностях и менее эффективен, чем две другие, потому что напряжение отрицательной обратной связи, регулирующее ток через транзистор подаётся на базу через базовый делитель.

Рисунок 3.5

Расчёт, подробно описанный в [3], заключается в следующем: выбираем напряжение  (в данном случае В) и ток делителя (в данном случае , где  – ток базы), затем находим элементы схемы по формулам:

;                                                                           (3.3.15)

,                                                                                   (3.3.16)

где – напряжение на переходе база-эмиттер равное 0.7 В;

.                                                                         (3.3.17)

Получим следующие значения:

Ом;

Ом;

Ом.

3.3.4.2 Активная коллекторная термостабилизация

Активная коллекторная термостабилизация используется в мощных каскадах и является очень эффективной, её схема представлена на рисунке 3.5. Её описание и расчёт можно найти в [2].

Рисунок 3.6

В качестве VT2 возьмём КТ916А. Выбираем падение напряжения на резисторе  из условия (пусть В), затем производим следующий расчёт:

;                                                                                   (3.3.18)

;                                                                              (3.3.19)

;                                                                         (3.3.20)

;                                                               (3.3.21)

,                                                                            (3.3.22)

где  – статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ транзистора КТ361А;

;                                                                           (3.3.23)

;                                                                          (3.3.24)

.                                                                        (3.3.25)

Величина индуктивности дросселя выбирается таким образом, чтобы переменная составляющая тока не заземлялась через источник питания, а величина блокировочной ёмкости – таким образом, чтобы коллектор транзистора VT1 по переменному току был заземлён.

3.3.4.3 Эмиттерная термостабилизация

Принцип действия эмиттерной термостабилизации представлен на рисунке 3.6. Метод расчёта и анализа эмиттерной термостабилизации подробно описан в [3].

Рисунок 3.7

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: изложение дубровский, изложение по русскому 9 класс.





Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата