Блок памяти

| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: менеджмент, антикризисное управление
| Добавил(а) на сайт: Терёшин.

4. Расчет электрических параметров блока памяти.
Максимально допустимое количество объединяемых входов КI микросхем памяти определим из того, что суммарные токи нагрузки для высокого и низкого уровней сигнала и емкостная нагрузка не должны превышать значений, допустимых для выхода буферного каскада, используемого в данной цепи:
[pic], где IOH , IOL, COL - максимально допустимые значения токов нагрузки высокого и низкого уровней и емкости нагрузки буферного элемента, IIH,

IIL, CI - входные токи высокого и низкого уровней и емкость входов, СМ - емкость монтажа.

KIПЗУ=min(76*10-3/0.25*10-3;81*10-3/40*10-6;500-20/15)=32

KОЗУ=min(76*10-3/0.2*10-3;81*10-3/4*10-6;500-20/10)=48

Так как у нас используется 20 микросхем, то условие выполняется.

Определяем максимально допустимое количество объединяемых выходов КО
[pic], где CLMAX - максимально допустимая емкость нагрузки выхода, CO - емкость выхода, C I , NIN - емкость и количество входов, подключенных к данному выходу, CM - емкость монтажа.
200СLMAXПЗУ>=8(20-1)+15*1+20=187
200СLMAXОЗУ>=7(20-1)+15*1+20=168
Из расчета видно что для буферизации ШД достаточно одной МС буфера К1554АП6 как для ПЗУ так и для ОЗУ.

При расчете динамических параметров разработанного блока памяти учтём тот факт, что времена задержек распространения сигнала, указаны для емкости нагрузки CL = 50 пФ. Скорректируем значения времен задержек распространения сигналов в большую сторону из расчета: - 0.07 нс/пФ.

tОЗУ=16+10+(60+118*0,07)+13=107,26 нс (в режиме записи) tОЗУ=16+10+(60+118*0,07)+13=107,26 нс (в режиме считывания) tПЗУ=16+10+(40+137*0,07)+13=112,39 нс

Мощность, потребляемая блоком памяти, (PCC) определяется как сумма средних мощностей, потребляемых микросхемами памяти и логики, на которых реализованы схемы управления.
PЛОГ =2PАП6+4PИД7+PЛП5+PЛН1
PЛОГ =2*80*10-6*5+4*80*10-6*5+40*10-6*5+40*10-6*5=2,8мВт

Для режима хранения получим:
PCCXP=PXPПЗУ*NПЗУ+ PXPОЗУ*NОЗУ+ PЛОГ
PCCXP=900*20+250*20+2,8=23Вт

При расчете мощности, потребляемой микросхемами памяти в режиме обращения, учтём тот факт, что в активном режиме находятся БИС только одного выбранного столбца матрицы памяти, а все остальные БИС памяти переведены в энергосберегающий режим. «Наихудший» случай когда обращение происходит к блоку ОЗУ. Тогда для этого режима работы блока памяти имеем :
PCCO=PXPПЗУ *NОЗУХР + PXРОЗУ NОЗУХР + PОЗУОБР *NОЗУОБР+PЛОГ
PCCO =20*900+18*250+2*900+2.8=23.4Вт

ГРАФИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ.

1. Функциональная схема блока памяти.

Литература

Ермаков А. Е., Ермакова О.П. Задание на курсовую работу с методическими указаниями по дисциплине «Схемотехника» /РГОТУПС. -М.:

1999. -10 с.

Ермаков А. Е., Схемотехника ЭВМ. Учебное пособие. -М.: РГОТУПС, 1997.

-352 с.

Применение микросхем памяти в электронных устройствах: Справочник/ О.

Н. Лебедев- М.: Радио и связь, 1994. -216 с.

Шило В. Л. Популярные цифровые микросхемы: Справочник. - Ч.:

Металлургия 1989. - 352 с.

Петровский И. И., Прибыльский А. В., Логические ИС КР1533, КР1554: /

Справочник. - М.: БИНОМ, 1993.
--------------------> [pic]

Временная диаграмма работы блока памяти в режиме считывания.