Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата

Диффузионные резисторы формируют на основе диффузионных слоев, толщина которых намного меньше их ширины и длинны. Диффузионные резисторы изолированы от остального объема полупроводника p-n -переходом. Они могут быть изготовлены одновременно с другими элементами при формировании структуры полупроводниковых ИМС. Поэтому для реализации диффузионных резисторов в полупроводниковых ИМС используют те же диффузионные слои, которые образуют основные структурные области транзистора: базовую, эмиттерную, или коллекторную.

Сопротивление диффузионного резистора R определяется удельным сопротивлением полупроводникового слоя, его глубиной и занимаемой площадью:

[pic]

[pic]

( 1 )

где (s -удельное поверхностное сопротивление слоя

[pic]

Диффузионные резисторы могут быть реализованы на основе любой из структурных областей транзистора. Для их использования в ИМС на поверхности структурных областей создают омические контакты.

Структура диффузионного резистора на основе структурных областей планарно-эпитаксиального транзистора на рис. 2.

Наиболее распространенны резисторы, сформированные на основе базовых слоев. При этом достигается сочетание высокого сопротивления слоя необходимого для уменьшения площади, занимаемой резистором и приемлемого температурного коэффициента.
Рис. 2

Для получения диффузионных резисторов требуемого сопротивления, определяемого по формуле (1), диффузионные слои формируют в виде прямоугольника или змейки. В этом случае отношение l/b стремятся сделать по возможности большим. Для диффузионных резисторов характерно наличие паразитных элементов - распределенного конденсатора и распределенного транзистора.

Кроме диффузионных резисторов в полупроводниковых ИМС применяют резисторы на основе МДП-структуры. При этом в качестве резистора используют
МДП-транзистор, работающий в режимах, наклонной области ВАХ. Использование

МДП-структур в качестве резисторов позволяет реализовать целый ряд цифровых ИМС только на одних МДП-транзисторах.

3. Элемент КМОП - логики.

В цифровых ИМС практическое применение получили полевые транзисторы с оксидным диэлектриком, образующие контакт металл–оксид–полупроводник
(КМОП). На рисунке 2 приведена принципиальная схема элемента ИЛИ–НЕ на два входа, содержащая один нагрузочный (VT3) и два логических (VT1 и VT2) транзистора.

U и.п.

VT3

F (Выход)

VT1

B (Вход 2)

А (Вход 1) VT2

А 1

В F=A+B

Рис. 3

Таблица 11
|А |В |F |
|0 |0 |1 |
|1 |0 |0 |
|0 |1 |0 |
|1 |1 |0 |

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: сочинение тарас бульбо, решебник по геометрии атанасян, сочинение.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата