Физические основы электроники
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: ответы по истории, сочинения по русскому языку
| Добавил(а) на сайт: Дейнеко.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата
3 Полупроводники с дырочной проводимостью..................
2 Токи в полупроводниках
....................................................
1 Дрейфовый ток..................................................................
.
2 Диффузионный ток...........................................................
3 Контактные явления...........................................................
1 Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
2 Прямое включение p-n перехода......................................
3 Обратное включение p-n перехода.................................
1 Теоретическая характеристика p-n перехода...........................
4 Реальная характеристика p-n перехода............................
5 Ёмкости p-n перехода......................................................
4 Разновидности p-n переходов..........................................
1
Гетеропереходы.......................................................
....
2 Контакт между полупроводниками одного типа проводимости
3 Контакт металла с полупроводником..........................................
4 Омические контакты............................................................
.......
5 Явления на поверхности полупроводника..............................
2 Полупроводниковые диоды.....................................................
1
Классификация.......................................................
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: банк курсовых, россия диплом, реферат республика беларусь.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата