Фотоэлектромагнитный эффект и его применение в устройствах функциональной электроники

| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: типи рефератів, курсовик
| Добавил(а) на сайт: Dedov.

В данной части работы, пользуясь основными формулами ФМЭ, я рассмотрю зависимость тока ФМЭ от напряженности магнитного поля, интенсивности света, параметров материала и геометрических параметров пластины.

В слабых магнитных полях ([pic]) ток ФМЭ увеличивается пропорционально напряженности магнитного поля. Это объясняется тем, что при воздействии сильного магнитного поля траектории носителей между столкновениями сильно искривлены и скорость диффузии меньше, чем при отсутствии магнитного поля.
Это явление отражено в формуле, определяющей зависимость эффективных значений диффузионной длины и коэффициента диффузии от магнитного поля:

[pic] (1)

, где [pic]- время жизни, n, p – полная концентрация носителей, [pic]и
[pic]- величины, определяемые формулой:

[pic] (2)

[pic]

(3)
, где D – эффективный коэффициент биполярной диффузии.

Зависимость D и L от напряженности магнитного поля проявляется по- разному при малой и большой скорости поверхностной рекомбинации. При слабой поверхностной рекомбинации (S