Фоторезисторы

| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: сочинение бульба, готовые дипломные работы
| Добавил(а) на сайт: Dobrogneva.

– лавинный фотодиод.

Полупроводниковый фотодетектор

Схема полупроводникового фотодетектора приведена на рис. 9 приложения.
Полупроводниковый кристалл последовательно соединен с резистором R и источником постоянного напряжения V. Оптическая волна, которую нужно зарегистрировать, падает на кристалл и поглощается им, возбуждая при этом электроны в зону проводимости (или в полупроводниках p-типа – дырки в валентную зону). Такое возбуждение приводит к уменьшению сопротивления Rd полупроводникового кристалла и, следовательно, к увеличению падения напряжения на сопротивлении R, которое при (Rd / Rd > ND, большинство атомов-акцепторов остается незаряженным.

Падающий фотон поглощается и переводит электрон из валентной зоны на уровень атома-акцептора, как это показано на рис. 10 приложения (процесс
А). Возникающая при этом дырка движется под действием электрического поля, что приводит к появлению электрического тока. Как только электрон с акцепторного уровня возвращается обратно в валентную зону, уничтожая тем самым дырку (процесс B), ток исчезает. Этот процесс называется электронно- дырочной рекомбинацией или захватом дырки атомом акцептора.

Выбирая примеси с меньшей энергией ионизации, можно обнаружить фотоны с более низкой энергией. Существующие полупроводниковые фотодетекторы обычно работают на длинах волн вплоть до ( ( 32 мкм.

Из сказанного следует, что главным преимуществом полупроводниковых фотодетекторов по сравнению с фотоумножителями является их способность регистрировать длинноволновое излучение, поскольку создание подвижных носителей в них не связано с преодолением значительного поверхностного потенциального барьера. Недостатком же их является небольшое усиление по току. Кроме того, для того чтобы фотовозбуждение носителей не маскировалось тепловым возбуждением, полупроводниковые фотодетекторы приходится охлаждать.

Заключение

В этой курсовой работе мы рассмотрели устройство, принцип действия и основные свойства полупроводниковых фоторезисторов, а также принцип действия построенных на их основе фотодетекторов.

Список литературы

1( Гершунский Б. С. Основы электроники и микроэлектроники. – К.: Вища школа. 1989. – 423 с.

2( Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам; под ред.
К. В. Шалимовой. – М.: Высшая школа. 1968. – 464 с.

3( Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. – М.:
Советское радио. 1970. – 591 с.

4( Yariv A. Introduction To Optical Electronics. – М.: Высшая школа.
1983. – 400 с.

5( Kittel C. Introduction To Solid State Physics, 3d Ed. – New York:
Wiley, 1967. – p. 38.

6( Kittel C. Elementary Solid State Physics. – New York – London:
Wiley, 1962.

Приложение

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]