ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: реферат личность, бесплатные рефераты
| Добавил(а) на сайт: Мальцев.
Предыдущая страница реферата | 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 | Следующая страница реферата
Используем эмиттерную стабилизация поскольку был выбран маломощный транзистор, кроме того эмиттерная стабилизация уже применяется в рассчитываемом усилителе. Схема эмиттерной термостабилизации приведена на рисунке 4.1.
Порядок расчета:
1. Выберем напряжение эмиттера [pic], ток делителя [pic] и напряжение питания [pic];
2. Затем рассчитаем [pic].
Напряжение эмиттера [pic] выбирается равным порядка [pic]. Выберем
[pic].
Ток делителя [pic] выбирается равным [pic], где [pic]- базовый ток транзистора и вычисляется по формуле:
[pic](мА);
Тогда:
[pic] мА
Напряжение питания рассчитывается по формуле: [pic](В)
Расчёт величин резисторов производится по следующим формулам:
[pic] (Ом);
[pic]
[pic] (кОм);
[pic] (кОм);
В диапазоне температур от 0 до 50 градусов для рассчитанной подобным образом схемы, результирующий уход тока покоя транзистора, как правило, не превышает (10-15)%, то есть схема имеет вполне приемлемую стабилизацию.
7.2 Транзистор VT1
В качестве транзистора VT1 используем транзистор КТ339А с той же рабочей точкой что и для транзистора VT2:
Iко= 5мА
Uкэо=10В
Возьмем Rк = 100 (Ом).
Рассчитаем параметры эквивалентной схемы для данного транзистора
используя формулы 5.1 - 5.13 и 7.1 - 7.3.
Ск(треб)=Ск(пасп)*[pic]=2([pic]=1,41 (пФ), где
Ск(треб)-ёмкость коллекторного перехода при заданном Uкэ0,
Ск(пасп)-справочное значение ёмкости коллектора при Uкэ(пасп).
rб= [pic]=17,7 (Ом); gб=[pic]=0,057 (Cм), где
rб-сопротивление базы,
[pic]-справочное значение постоянной цепи обратной связи.
rэ=[pic] =[pic]=6,54 (Ом), где
Iк0 в мА, rэ-сопротивление эмитера.
gбэ=[pic]=[pic]=1,51(мСм), где
gбэ-проводимость база-эмитер,
[pic]-справочное значение статического коэффициента передачи тока в схеме с
общим эмитером.
Cэ=[pic]=[pic]=0,803 (пФ), где
Cэ-ёмкость эмитера, fт-справочное значение граничной частоты транзистора при которой [pic]=1
Ri= [pic]=1000 (Ом), где
Ri-выходное сопротивление транзистора,
Uкэ0(доп), Iк0(доп)-соответственно паспортные значения допустимого
напряжения на коллекторе и постоянной составляющей тока коллектора.
gi=1(мСм).
[pic]
[pic](Ом)
[pic]
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: объект реферата, оформление доклада титульный лист, реферат на тему мыло.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 | Следующая страница реферата