Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата

Лист

Листов

УКСИВТ,
3А-1

Статические параметры

|Обознач|Наименование |Норма |Единица |Режим измерения|
|ение |параметра | | | |
| | |не |не |измерени| |
| | |менее |более |я | |
|Uoh |Выходное напряжение |UCC-2 | |В |Ucc=4,5В |
| |высокого уровня | | | |Uih~2,OB |
| | | | | |UIL=0,8В |
| | | | | |1лн=-0,4мА |
| | | | | |IOL=-0.4MA |
|uol |Выходное напряжение | |0,4 0,5|В В |Ucc=4,58 |
| |низкого уровня | | | |UIH=2,OB |
| | | | | |UIL=0,8В |
| | | | | |IOL=4MA IOL=8мА|
| | | | | | |
|IIH |Входной ток высокого| |20 40 |мкА |UCC=5,5B |
| |уровня - по выводам | | | |UIH=2,7B |
| |01,04, 03. 11 - по | | | | |
| |выводам 09, 10, 12, | | | | |
| |13 | | | | |
|iil |Входной ток низкого | ||-0,2| |мА |UCC=5,5B |
| |уоовня - по выводам | ||-0,4| | |UTL=0.4B |
| |01, 04, С 3,11 - по | | | | |
| |выводам 09, 10, 12, | | | | |
| |13 | | | | |
|Io |Выходной ток |I-30I ||-112| |мА |UCC=5,5B |
| | | | | |U0=2.25B |
|ucdi |Прямое падение | |1-1,51 |В |Uгр=4,53, |
| |напряжения на | | | |IL=-18мА |
| |антизвонном диоде | | | | |
|Ucc |Ток потребления | |4,5 |мА |UCC=5,5B |

13 777-Ч-2001 2202 КП-ГЧ

Изм Лист №Документа Подпись Дата .

Разраб. .

Проверил .

Лист

Листов

УКСИВТ,
3А-1

Функциональный ряд ИС ТТЛ КР1533ТВ*

| |
|Более высокой разрешающей способностью обладает электронно-лучевая литография. |
|При прямой экспозиции полупроводниковой пластины в электронном луче можно |
|создавать полоски в 20 раз более узкие, чем при фотолитографии, тем самым |
|уменьшая размеры элементов до 0,1 мкм.' |
|Диффузия примесей применяется для легирования пластины с целью формирования р- и|
|n-слоев, образующих эмиттер, базу, коллектор биполярных транзисторов, сток, |
|исток, канал униполярных транзисторов, резистивные слои, а также изолирующие |
|р-n-переходы. Для диффузии примесей пластины нагреваются до 800—1250 °С и над ее|
|поверхностью пропускается газ, содержащий примесь. Примесь диффундирует в глубь |
|пластины через окна, вскрытые в слое ЗЮд. Глубину залегания диффузионного слоя и|
|его сопротивление регулируют путем изменения режима диффузии (температуры и |
|продолжительности диффузии). |
|Ионное легирование. Вместо диффузии для имплантации примесей в полупроводник |
|применяют 'ионное легирование. Для этого ионы примесей ускоряют в ускорителе до |
|80—300 кэВ, а затем их направляют на подложку, защищая при помощи маски те |
|участки, которые не должны подвергаться легированию. Введение примесей в широком|
|диапазоне концентраций и возможность осуществления более точного контроля |
|дозировок примесей позволяют изменять параметры элементов в требуемых пределах. |
|Поэтому вместо диффузии все больше применяют ионное легирование, хотя ее |
|внедрение связано с переоснащением производства ИМС дорогостоящим оборудованием.|
| |
|В производстве полупроводниковых ИС и многих дискретных приборов необходимо на |
|подложке создавать однородно легированные по толщине слои одноименного ей полу |
|проводника, а в некоторых случаях – и полупроводника другого вида, с иной |
|шириной запрещенной зоны. В частности, это необходимо для расширения |
|функциональных возможностей схем, улучшения их параметров путем, например, |
|формирования скрытых под такими слоями участков высокой проводимости (скрытых |
|слоев). |
|Термин «эпитаксия», впервые предложенный Руайе, отражает в настоящее время |
|процесс ориентированного нарастания, в результате которого образующаяся новая |
|фаза закономерно продолжает кристаллическую решетку имеющейся фазы – подложки с |
|образованием некоторого переходного слоя, способствующего когерентному срастанию|
|двух решеток по плоскости подложки со сходной плотностью упаковки атомов. По |
|окончании формирования переходного слоя эпитаксиальный процесс продолжается с |
|образованием слоя требуемой толщины. |
|Эпитаксиальный слой (ЭС) – это монокристаллический слой новой фазы, выросший в |
|результате эпитаксии на поверхности монокристаллической подложки строго |
|определенным образом, который имеет прочную кристаллохимическую связь с |
|подложкой и не может быть отделен от нее без разрушения слоя или поверхности |
|подложки. ЭС практически продолжает кристаллическую решетку подложки и |
|ориентирован строго определенным образом относительно кристаллографической |
|плоскости, выходящей на ее поверхность. |
|Основное физическое явление, которое имеет место в процессе эпитаксии,- это |
|кристаллизация вещества. Под кристаллизацией вещества понимают появление |
|зародышей твердой фазы и их рост. В зависимости от того, из каких составов |
|получают ЭС, различают следующие механизмы кристаллизации: |

| |
|Механизм пар – кристалл (П - К), когда образование твердой фазы происходит из |
|парообразного или газообразного состояния вещества; |
|Механизм пар – жидкость – кристалл (П – Ж - К), когда образование твердой фазы |
|из парообразного состояния проходит стадию жидкого состояния. Примером может |
|служить кристаллизация Ge на подложке Si, если последнюю нагреть до температуры,|
|превышающей температуру плавления Ge; |
|Механизм твердое тело – кристалл (Т - К), когда выращивание эпитаксиального слоя|
|производится из электролитов или расплавов. |
|Эпитаксию применяют для выращивания на поверхности кремниевой пластины |
|полупроводникового слоя с п- или р-проводимостью. Такой слой толщиной несколько |
|микрон образуется при пропускании над нагретой до 1250 °С подложкой потока газа,|
|содержащего несколько соединений, которые, вступая в химическую реакцию, |
|разлагаются на части и приводят к образованию эпитаксиального слоя с n- или |
|р-проводимостью на поверхности пластины. |
|Напыление и нанесение пленок. Элементы полупроводни |
|ковых ИМС соединяются между собой с помощью проводящего рисунка, полученного |
|путем напыления металлической пленки. Для этого после вытравления с помощью |
|фотолитографии окон под контакты в вакууме напыляется алюминиевая пленка на всю |
|поверхность пластины. Путем напыления формируют также металлизированные |
|площадки, к которым путем термокомпрессионной сварки привариваются выводы |
|микросхемы и тонкие проволочки, соединяющие бескорпусные транзисторы в гибридных|
|ИМС. В последнее время вместо проволочных перемычек применяют балочные выводы, |
|представляющие собой золотые удлиненные выступы. Во время сборки гибридной ИМС |
|балочные выводы совмещают с контактными площадками на подложке и припаивают к |
|ним, нагревая до температуры, при которой образуется эвтектический спай. Наконец|
|путем напыления и нанесения пленок изготавливают пассивные элементы в |
|совмещенных и гибридных ИМС в виде толстых и тонких пленок. |

Используемая литература

1. Справочник «Логические ИС. КР1533, КР1554. Часть 2.». - БИНОМ, 1993г.

2. В.Л. Шило. Популярные цифровые микросхемы. - «Металлургия», 1988г.

3. «Интегральные микросхемы и основы их проектирования».

Н.М. Николаев, Н.А. Филинюк.

4. «Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы». Справочник.

5. «Логические интегральные схемы КР1533, КР1554». Справочник.

6. «Конструирование и технология микросхем».

7. «Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах».

Справочник. Г.И. Пухальский, Т.Я. Новосельцева.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: контрольные работы, инновационная деятельность, текст для изложения.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата