Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата

Grб Pr = 875(128 ( 0(698 = 610(839

5( Рассчитаем коэффициент коэффициенты конвективного теплообмена между нагретой зоной и корпусом для каждой поверхности( для нижней и верхней

[pic] для боковой поверхности

[pic] где (m - теплопроводность газа, для воздуха (m определяем из таблицы
4(10 [1] (m = 0(0281 Вт/(м К)(

6( Определяем тепловую проводимость между нагретой зоной и корпусом(

[pic] где ( - удельная тепловая проводимость от модулей к корпусу блока, при отсутствии прижима ( = 240 Вт/(м2 К)(

S( - площадь контакта рамки модуля с корпусом блока(

К( - коэффициент учитывающий кондуктивный теплообмен

[pic]

В результате получаем(
[pic]

7( Рассчитываем нагрев нагретой зоны (tз(о во втором приближении

[pic] где Кw - коэффициент, учитывающий внутреннее перемешивание воздуха, зависит от производительности вентилятора, Кw = 1(

Кн2 - коэффициент, учитывающий давление воздуха внутри блока, Кн2 =
1(3(

8( Определяем ошибку расчета

[pic]
Такая ошибка нас вполне устраивает (=0(053 < [(]=0.1(

9( Рассчитываем температуру нагретой зоны

[pic]

Этап 3( Расчет температуры поверхности элемента

1( Определяем эквивалентный коэффициент теплопроводности модуля, в котором расположена микросхема( Для нашего случая, когда отсутствуют теплопроводные шины (экв = (п = 0.3 Вт/(м К) , где (п - теплопроводность материала основания печатной платы(

2( Определяем эквивалентный радиус корпуса микросхем(

[pic] где S0ИС - площадь основания микросхемы, S0ИС = 0(0195 ( 0(006 =
0(000117 м2

3( Рассчитываем коэффициент распространения теплового потока

[pic] где (1 и (2 - коэффициенты обмена с 1-й и 2-й стороной ПП( для естественного теплообмена (1 + (2 = 18 Вт/(м2 К)( hпп - толщина ПП(

4( Определяем искомый перегрев поверхности корпуса микросхемы для ИМС номер 13 находящейся в середине ПП и поэтому работающей в наихудшем тепловом режиме(
[pic] где В и М - условные величины, введенные для упрощения формы записи, при одностороннем расположении корпусов микросхем на ПП В = 8(5 ( R2 Вт/К,
М = 2( к - эмпирический коэффициент( для корпусов микросхем, центр которых отстоит от концов ПП на расстоянии менее 3R, к = 1.14( для корпусов микросхем, центр которых отстоит от концов ПП на расстоянии более 3R, к =
1( к( - коэффициент теплоотдачи от корпусов микросхем определяется по графика (рис( 4(17) [1] и для нашего случая к( = 12 Вт/(м2 К)(

Ni - число i-х корпусов микросхем( расположенный вокруг корпуса рассчитываемой микросхемы на расстоянии не более ri < 10/m = 0.06 м, для нашей ПП Ni = 24(

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: грибы реферат, конспекты 9 класс, зимой сочинение.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата