Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Рис. 1.3. Однонаправленная модель биполярного транзистора

Значения элементов однонаправленной модели биполярного транзистора, представленной на рис. 1.3, могут быть рассчитаны по следующим формулам [7,
10]:

[pic];

[pic];

[pic];

[pic], где [pic], [pic] – индуктивности выводов базы и эмиттера;

[pic] – сопротивление базы;

[pic] – емкость коллекторного перехода;

[pic],[pic] – максимально допустимые постоянное напряжение коллектор- эмиттер и постоянный ток коллектора.

При расчетах по схеме замещения приведенной на рис. 1.3, вместо [pic] используют параметр [pic] – коэффициент усиления транзистора по мощности в режиме двухстороннего согласования [3], равный:

[pic], (1.1)

где [pic]=[pic] – круговая частота, на которой коэффициент усиления транзистора по мощности в режиме двухстороннего согласования равен единице;

[pic] – текущая круговая частота.

Формула (1.1) и однонаправленная модель (рис. 1.3) справедливы для области рабочих частот выше [pic][11], где [pic] – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером; [pic] – граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

[pic]

Рис. 1.4. Однонаправленная модель полевого транзистора

Значения элементов однонаправленной модели полевого транзистора, представленной на рис. 1.4, могут быть рассчитаны по следующим формулам [1,
11]:

[pic]=[pic]+[pic];

[pic]=[pic]+[pic];

[pic]=[pic], где [pic] – емкость затвор-исток;

[pic] – емкость затвор-сток;

[pic] – емкость сток-исток;

[pic] – крутизна;

[pic] – сопротивление сток-исток;

[pic] – сопротивление нагрузки каскада на полевом транзисторе.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: курсовая работа по праву, чс реферат, как написать дипломную работу.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата