Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: конспект, доклад по географии
| Добавил(а) на сайт: Жаворонков.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата
[pic]
Рис. 1.1. Эквивалентная схема Джиаколетто
[pic]
Рис. 1.2. Однонаправленная модель
Значения элементов схемы Джиаколетто могут быть рассчитаны по паспортным данным транзистора по следующим формулам [1]:
[pic];
[pic];
[pic];
[pic];
[pic];
[pic];
[pic], где [pic] - емкость коллекторного перехода;
[pic] - постоянная времени цепи обратной связи;
[pic] - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;
[pic] - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;
[pic] - ток эмиттера в рабочей точке в миллиамперах;
[pic]=3 - для планарных кремниевых транзисторов;
[pic]=4 - для остальных транзисторов.
В справочной литературе значения [pic] и [pic] часто приводятся
измеренными при различных значениях напряжения коллектор-эмиттер [pic].
Поэтому при расчетах [pic] значение [pic] следует пересчитать по формуле
[1]
[pic], где [pic] - напряжение [pic], при котором производилось измерение [pic];
[pic] - напряжение [pic], при котором производилось измерение [pic].
Поскольку [pic] и [pic] оказываются много меньше проводимости нагрузки усилительных каскадов, в расчетах они обычно не учитываются.
Значения элементов схемы замещения, приведенной на рис. 1.2, могут быть рассчитаны по следующим формулам [3, 4]:
[pic];
[pic];
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: сочинение по английскому, здоровье реферат, реферат на тему информация.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата