Министерство образования Российской Федерации

Орловский Государственный Технический Университет

Кафедра физики

КУРСОВАЯ РАБОТА

на тему: «Расчет параметров ступенчатого

p-n перехода»

Дисциплина: «Физические основы микроэлектроники»

Выполнил студент группы 3–4

Сенаторов Д.Г.

Руководитель:

Оценка:

Орел. 2000

Орловский Государственный Технический Университет

КАФЕДРА: «ФИЗИКА»

ЗАДАНИЕ НА курсовую работу

Студент: Сенаторов Д.Г. группа 3–4

Тема: «Расчет параметров ступенчатого p-n перехода»
Задание: Рассчитать контактную разность потенциалов (k в p-n-переходе.

Исходные данные для расчета приведены в таблице №1.

Таблица 1. Исходные данные.

|Наименование параметра |Единицы |Условное |Значение в |
| |измерения. |обозначени|единицах |
| | |е |системы СИ |
|Абсолютная величина |м-3 |NЭ |1,5[pic]1025 |
|результирующей примеси в | | | |
|эмиттере | | | |
|Абсолютная величина |м-3 |NБ |1,8[pic]1022 |
|результирующей примеси в | | | |
|базе | | | |
|Диэлектрическая постоянная |Ф/м |(0 |8,85[pic]10-12 |
|воздуха | | | |
|Заряд электрона |Кл |e |1,6[pic]10-19 |
|Относительная |Ф/м |( |16 |
|диэлектрическая | | | |
|проницаемость полупроводника| | | |
|Постоянная Больцмана |Дж/К |k |1,38[pic]10-23 |
|Равновесная концентрация |м-3 |pn0 |1010 |
|дырок в n-области | | | |
|Равновесная концентрация |м-3 |np0 |1,1[pic]109 |
|дырок в p-области | | | |
|Собственная концентрация |м-3 |ni |5[pic]1014 |
|носителей заряда | | | |
|Температура окружающей среды|K |T |290 |

ОГЛАВЛЕНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ 4.

ЧАСТЬ I. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ 6.

1.1 Понятие о p-n переходе 6.

1.2 Структура p-n перехода 10.