Расчет полупроводникового выпрямителя с фильтром и транзисторного усилителя

| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: лечение шпоры, культура конспект
| Добавил(а) на сайт: Artur.

В соответствии с полученными результатами был выбран выпрямительный диод (кремниевый) из «Справочника по электронике»
| |Ток, мА |Напряжение, В | |
|Тип |максимальный |постоянный|максимальное|постоян|Диапазон |
|выпрямител|средний |обратный |постоянное |ное |рабочих |
|ьного |выпрямительны|ток Iорб, |обратное |прямое |температур|
|диода |й Iвп.ср.ma, |мА |Uобр.max, В |Uпр, В | |
| |мА | | | | |
|КД202А |5*103 |0.8 |35 |0.9 |-60 ( +130|

1.10 Графики работы выпрямителя с фильтром по расчётным данным в масштабе.
[pic]

Группа: 6ПВК-II-28

Студент: Гаврилин Дмитрий

Вариант: А-4
2.1 Расчёт транзисторного усилителя

2.2 Расчётная схема транзисторного усилителя .
[pic]

На схеме обозначены:
Uп - постоянное напряжение питания усилителя;
Rк - резистор в цепи коллектора;
Rэ - резистор в цени обратной отрицательной связи по току;
Cэ - конденсатор, шунтирующий резистор Rэ по переменному ток;
RБ1,RБ2 - резисторы делителя напряжения а цепи базы;
CР1,CР2 - разделительные конденсаторы в цепях входного и выходного сигналов, соответственно;
Rн - резистор нагрузки;
Eвх - действующее значение ЭДС источника входного сигнала;
Uвх - действующее входное синусоидальное напряжение (входной сигнал);
Uвых - действующее выходное синусоидальное напряжение (выходной сигнал); iк - ток коллектора; iБ - ток базы; iЭ - ток эмиттера; iн - ток нагрузки.
2.3 Исходные данные для расчёта согласно варианту.
Uп= 20 В (напряжение питания), (В= 3. 104 Гц (высшая частота полосы частот усиливаемого сигнала) , ( км= 0.03 А; Евх=0.01 в;
R н= 800 Ом

2.4 Предварительный выбор транзистора по таблице 6.

Используются неравенства

(км < (’ км ; Uп < U’ кэм ; (в < ( гр
(где (км - максимальный ток коллектора транзистора; Uп - постоянное напряжение питания усилителя; (в - верхняя рабочая частота усилителя.)

Так как для транзистора КТ-801 , который имеет параметры

(’ км = 2 ; U’ кэм =60 ; ( гр =107 , неравенства выполняются , то

выбираем транзистор КТ-801 (0.03 < 2; 20 < 60; 3 . 104 < 107)

Значения параметров транзистора

(справочные данные)
| |Тип |I’км,|U’кэм,|P’км,|(r, |h11, |h21, |h12,|h22,|
| | | | | |Гц |Ом |- | | |
| | |А |В |Вт | | | |- |См |
|5 |КТ801 |2.00 |60 |5.00 |107 |100 |60 |0.00|10-1|
| | | | | | | | |5 | |

2.5 Расчет параметров режима покоя а) Коллекторный ток покоя;

(кп = 0.5 (км = 0.5 . 0.03 = 0.015 А б) Ток покоя базы

[pic] где h 21 - коэффициент усиления по току из таблицы 6. в) Ток покоя эмиттера;

(ЭП = (КП + (БП = 0.015 + 0.00025 = 0.01525 А

г) Напряжение покоя эмиттера (эмиттер - масса);

UЭП = (0.1 ( 0.2) / UП = 0.2 / UП = 0.2 / 20 = 0.01 В

д) Напряжение покоя коллектора - эмиттера;

UКЭП=0.5*UП - UЭП=10-0.01=9.99 В

е) Мощность, выделяемая на транзисторе в режиме покоя(мощность рассеяния);

PТП=UКЭП*IКП=9.99*0.015=0.149 Вт
2.6 Расчёт цепи RЭ, СЭ обратной отрицательной связи по постоянному току;