Расчет тонкопленочного конденсатора

| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: контрольная по русскому, семейные реферат
| Добавил(а) на сайт: Jaushev.

где — относительные и абсолютные среднеквадратические отклонения удельной емкости и площади.

Погрешность воспроизведения удельной емкости Со зависит от технологических факторов нанесения слоя диэлектрика, а погрешность воспроизведения площади S кроме технологических факторов зависит от конструкции конденсатора и формы обкладок. В общем случае

где — относительные среднеквадратические отклонения линейных размеров А и В, определяющих площадь S=AB; — коэффициент корреляционной связи между отклонениями размеров А и В.

Когда размеры А и В верхней обкладки конденсатора, площадь которой определяет его емкость, формируются в процессе одной технологической операции (рис. 1 а),

Для конструкции рис. 1 б емкость конденсатора определяется площадью перекрытия диэлектрика обеими обкладками, линейные размеры которых формируются независимо,

Следует отметить, что существенно зависит также от формы верхней обкладки конденсатора (рис. 1 , а). При

где —коэффициент формы обкладок (при квадратной форме обкладок, когда А =В и

, значение минимально).

При этом значение , вычисляемое по ( ), не должно превышать максимально допустимого, т.е.

Отсюда следует, что при выбранном из топологических соображений значении площадь верхней обкладки

Выражение ( ) может быть использовано для определения максимального значения исходя из обеспечения требуемой точности конденсатора:

В данном случае при заданной технологии значение определяется из формулы для полной относительной погрешности емкости ус конденсатора:

Здесь —относительная погрешность удельной емкости в условиях конкретного производства (зависит от материала и погрешности воспроизведения толщины диэлектрика);

— относительная погрешность площади (зависит от формы, площади и погрешности линейных размеров обкладок);

—относительная температурная погрешность (зависит в основном от
ТКС материала диэлектрика); —относительная погрешность, обусловленная старением пленок конденсатора (зависит от материала и метода защиты).

Добротность Q пленочного конденсатора обусловлена потерями энергии в конденсаторе:

где — тангенс угла диэлектрических потерь в конденсаторе, диэлектрике, обкладках и выводах соответственно. Потери в диэлектрике обусловлены свойствами материала диэлектрика на определенной частоте f и определяются суммой миграционных и дипольно-релаксационных потерь:

где — удельное сопротивление пленки диэлектрика; — время релаксации; — значения относительной диэлектрической постоянной на высоких и низких частотах.
Тангенс угла в обкладках и выводах конденсатора

где — последовательное сопротивление обкладок; — сопротивление выводов.

В практических расчетах — справочная величина, а определяется в зависимости от конфигурации конденсатора, материала и формы обкладок.

Сопротивление утечки конденсатора обусловлено наличием тока утечки
, до которого уменьшается ток в цепи при зарядке конденсатора, и определяется отношением напряжения U, приложенного к конденсатору, к значению этого тока:

где — начальный ток в зарядной цепи; — активное сопротивление зарядной цепи.

Наличие в диэлектрике конденсатора различных дефектов и неоднородность его структуры (слоистость, пористость, присутствие примесей, влаги и т. д.) обусловливает в нем определенное количество свободных зарядов, способных перемещаться под действием поля. Часть из них вызывает поляризацию диэлектрика, которая выражается коэффициентом остаточной поляризации:

где — остаточная разность потенциалов, возникающая на обкладках конденсатора после его разрядки.

Температурный коэффициент емкости ТКС характеризует отклонение емкости, обусловленное изменением температуры на величину . Его среднее значение в интервале температур аналитически определяют путем разделения левой и правой частей выражения ( ) на :