Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОК

1. Основы промышленной электроники: Учебник для вузов/ В.Г.

Герасимов, О.М. Князьков, А.Е. Краснопольский, В.В. Сухоруков; под ред. В.Г. Герасимова. – 2-е изд., перераб. И доп. – М.: Высш.

Школа,1978

2. Лавриненко В.Ю Справочник по полупроводниковым приборам.

9-е изд., перераб. К.: Техника ,1980

3. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство. Пер. с нем.- М.: 1982

ПРИЛОЖЕНИЕ А

Параметры транзисторов КТ814Б, КТ 815Б

Iкбо Iэбо Uк Iк h21э fгр Cn Uкбmax Uкэmax
Uэбmax Iкmax Iбmax мА мА В А МГц пФ В

В В А А

КТ814Б 0.05 ( 2 0.15 (40 3 60 (
50 ( 1.5 0.5

40

КТ815Б 0.05 ( 2 0.15 (40 3 60 (
50 ( 1.5 0.5

40

Pmax Pтmax Tmax Tmin Rтnc

Вт Вт (С (С (С/мВт

КТ814Б ( 10 +100 - 40 (

КТ815Б ( 10 +100 - 40 (

Параметры транзисторов КТ315А, КТ 361А

Iкбо Iэбо Uк Iк h21э h11б h12б h22б fгр Cк Кш Uкбm Uкэm мкА мкА В мА Ом мкСм МГц пФ В В

КТ315А 1 15 10 1 20..90 40 ( 0.3
250 7 ( ( 20

10

КТ361А 1 ( 10 1 20..90 ( ( (
250 9 ( 25 25

25

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: хозяйство реферат, бесплатные рассказы, инновационный менеджмент.





Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата