[pic]

Министерство высшего образования РФ.

Уральский государственный университет – УПИ

Кафедра “Технология и средства связи”

Расчетно-графическая работа

Полупроводниковый диод

«КД213А»

Преподаватель: Болтаев А.В.

Студент:

Черепанов К.А.

Группа: Р-

207

Екатеринбург

2000

Аннотация

В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры
(электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода
КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр
(температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.

Содержание
1. Краткая характеристика диода 4
2. Паспортные параметры: 4
1. Электрические 4
2. Предельные эксплуатационные 4
3. Вольт-амперная характеристика 5
1. При комнатной температуре 5
2. При повышенной 6
4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6
5. Определение величины TKUпрям TKIобр 6
6. Определение сопротивления базы rб 9
1. Приближенное 9
2. Точное 9
7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема 10
8. Библиографический список 10
9. Затраты времени на: 10
1. Информационный поиск 10
2. Расчеты 10
3. Оформление 10

Краткая характеристика диода

Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.

Масса диода не более 4 г.

КД213А[1]

[pic]

Рисунок 1

Паспортные параметры:

Электрические