Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9 | Следующая страница реферата

n-p-n p-n-p

Рис.8

На схеме обозначены показания омметра: Н – высокое, L – низкое сопротивление.

Необходимо отметить, что имеют место случаи, когда короткозамкнут участок цепи коллектор-эмиттер, несмотря на то, что оба перехода целы.

Транзистор с периодическим обрывом перехода может оказаться временно работоспособным при его проверке с помощью омметра. Поэтому более достоверным является контроль режимов его работы по постоянному току в различных схемах включения. Рассмотрим их подробнее:
Схема с общим эмиттером

Рис.9
1. Uкэ=0 – короткое замыкание между коллектором и эмиттером или транзистор находится в режиме насыщения из-за неисправных элементов, либо скрытых дефектов монтажа схемы. Режим насыщения переходов транзистора легко определить, если закоротить его базовый вывод на общий провод. При этом у работоспособного транзистора указанное напряжение станет близким к Ек из-за того, что переход база-эмиттер и база-коллектор закрываются и транзистор, как говорят, стягивается в «точку». Если этого не происходит, то транзистор неисправен.
2. Uк=Ек – обрыв одного из переходов или транзистор находится в режиме отсечки из-за неисправных элементов, запирающего напряжения либо скрытых дефектов монтажа. При этом в первую очередь необходимо проверить напряжение между базой и эмиттером, которое должно быть:

+(0.6…..0.7)В для n-p-n

-(0.6…..0.7)В для p-n-p транзисторов.

Если напряжение Uбэ значительно отличается от указанного,

необходимо более тщательно проверить элементы и цепи, откуда поступает запирающее напряжение на базу.

Схема с общим коллектором

Рис.10

1. Uэ=0 – обрыв одного из переходов или транзистор заперт.

2. Uэ=Ек – транзистор пробит или находится в режиме насыщения.

Режим насыщения проверяется вышеописанным способом.

Схема с общей базой

Рис.11

1. U2=0 – обрыв одного из переходов или транзистор заперт.

2. U2=U1 – транзистор пробит или находится в режиме насыщения.

Режим насыщения определяется также.

С учетом вышеизложенного проанализируем схему резистивного усилителя
(рис.12) и выявим по известным симптомам неисправные элементы схемы.

Рис.12

Симптом 1: Пониженное напряжение на коллекторе.
Причины: уменьшение напряжения питания Ек, пробой транзистора, повышены токи утечки С1, С2, С3, обрыв R2, R3.

Симптом 2: Повышенное напряжение на коллекторе.
Причины: обрыв одного из переходов транзистора, обрыв R1, R4. Проверить режим насыщения путем параллельного подключения к R1 дополнительного резистора близкого номинала. При этом напряжение на коллекторе транзистора должно уменьшиться.

Интегральные микросхемы очень широко используются в БРЭА. Они представляют собой микроэлектронные устройства, содержащие диоды, транзисторы, резисторы и выполняющие определенную функцию (например, усилитель мощности звуковой частоты).

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: скачать реферат бесплатно без регистрации, диплом работа, инновационный менеджмент.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9 | Следующая страница реферата