Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при Iэ=1 мА не более: приUкб=50В
300Ом

Емкость коллекторного перехода при Uкб=5 В, f=10 МГц не более

10 пФ

Обратный ток коллектора при Uкб=Uкб макс не более: при Т=298

1 мкА при Т=Тмакс
15 мкА

Обратный ток эмиттера при Uэб=Uэбмакс не более 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база : при Т=213(348 К:

КТ203А

60 В при Т=398 К:

КТ203А

30 В

Постоянное напряжение эмиттер-база 30 В

Постоянный ток коллектора
10мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора : при Т=213(348 К:
150мВт при Т=398 К
60мВт

Температура перехода
423 К

Температура окружающей среды 213(398 К

Транзистор КТ814Б.

Транзистор кремниевый меза-эпитакcиально-планарный p-n-p универсальный низкочастотный мощный.

Предназначен для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.

Масса транзистора не более 1 г.

Электрические параметры.

Граничное напряжение при Iэ=50 мА, (и ( 300 мкс, Q(100 не менее:

40 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=0,5 А, Iб=0,05 А не более 0,6 В

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: общение реферат, пример диплома, использование рефератов.





Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата