Схема сопряжения датчика с ISA
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: шпоры по управлению, конспект урока в школе
| Добавил(а) на сайт: Cecilija.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5
Базовые ЛЭ ЭСЛ-типа 500-ой серии.
Достоинства: ЛЭ ЭСЛ-типа применяются в быстродействующих устройствах, т.к. она (ЭСЛ) имеет малое tздр (время задержки). Это обусловлено:
[pic] (1), где Uл – логический перепад. (Примечание. Для ТТЛ с
простым инвертором [pic])
Если в (1) при Cн = const уменьшить Uл, то tздр уменьшается.
ЛЭ ЭСЛ имеет малый уровень логического перепада, дост. Большой ток зарада
Cпар, ( длительность положительного перепада схемы мала. Рассмотрим состав, принцип работы и назначение элементов схемы. При положительной логике U1 =
– 0,9В, U0 = – 1,7В, опорное напряжение [pic].
«ИЛИ–ИЛИ–НЕ»
[pic]
Рис.9
1. Токовый переключатель.
2. Источник опорного напряжения.
3. Эмиттерные повторители.
1. VT1, VT2 – левое плечо дифференциального усилителя.
R1, R2, R5
R3, R4 – сопротивления утечки.
На б VT1 и VT2 подаются входные сигналы.
На б VT3 поступает опорное напряжение –1,3В.
Uл = U1 – U0 = 0,8В
2. Делитель R7R8, диоды VD1 и VD2, ЭП VT4R6, VT3.
3. VT5R9 (R9 и R10 в схему ЛЭ в интегральном исполнении не входят).
VT6R10
U(б-э)оVT5,6 = 0,8В
Работа
X1 = X2 = 0
U1 = – 0,9В
U0 = – 1,7В
Uоп = –1,3В
VT1 и VT2 закрыты. Iк1,2 = 0. VT3 открыт. При этом Uc=–(Uоп) + (–U(б-э)VT3)
= (–1,3) + (–0,75) = = –2,05В
Что с VT3? Проверим: (Uб – Uэ)VT3 = (–1,3) – (–2,05) = 0,75 — он открыт.
(Uб – Uэ)VT1,2 = (–U0) – (–Uc) = (–1,7) – (–2,05) = 0,35В < Uэз = 0,6В (
VT1,2 – закрыты.
Т.к. через R1 при закрытых VT1 и VT2 протекает ток IбVT5 (ЭП) по цепи:
«+»ИП ( R1 ( б-э VT5( R9 ( «–»ИП
[pic]
Режим работы VT5 подобран так, что он всегда открыт и через него течет ток:
«+»ИП ( R1 ( к-э VT5 ( R9 ( «–»ИП
Uб-эVT5o = –0,8В
Uy1 = (Ua + Uб-эVT5) = (–0,1) + (–0,8) = –0,9В ( U1 = – 0,9В
Uc = Uб-эVT3o + Uоп = (–0,75) + (–1,3) = –2,05В
через R2 протекает ток IкVT3, IбVT6. Т.о. создается напряжение Uб = (IкVT3
+ IбVT6) R2 = –0,9В
Uy2 = Uб + Uб-эVT6o = (–0,9) + (–0,8) = –1,7В
[pic] ИЛИ–НЕ В этом случае y2 = «0»
[pic] ИЛИ y1 = «1»
X1 = X2 = 1
В этом случае VT1,2 открыты, но ненасыщены ( отсутствует избыточность
зарядов в цепи базы ( tздр мало.
VT3 закрыт
Uc = UX1,2 + Uб-эVT1,2o = (–0,9) + (–0,75) = –1,65В. Через R2 протекает
только Iб.
y1 = «0»
y2 = «1»
Источник опорного напряжения предназначен для создания стабильного
напряжения (–1,3В). Включаются R7, R8.
Т.к. температура изменяется, то требуется температурная компенсация VD1,2,
VT4, R6
VD1,2 — для термокомпенсации (для обеспечения пропорционального изменения
тока делителя). В точке d в зависимости от toC меняется потенциал.
Работа источника опорного напряжения (ИОН).
Если соединить базу VT3 с точкой d и убрать VD1,2 (закоротить), т.е.
исключить VT4 (ЭП) и R6, чтобы мы имели [pic].
Когда VT3 открыт, то имеем недостаток: через R7 кроме Iдел протекает IбVT7
(
(Iдел + IбVT3) R7 = [pic], IбVT3 = I ( to )
[pic]
Как видно, постоянство опорного напряжения на базе VT3 не обеспечивается.
Для ликвидации этого недостатка вкл. VT4R6. Тогда через делитель R7R8
всегда протекает ток равный Iдел + IбVT4. Но и в этом случае не
обеспечивается стабильность напряжения, т.к. IбVT4 = I ( to ). Существует
необходимость ввести диоды VD1,2, в которых R меняется в зависимости от
изменения to ( изменяется ток Iдел. Этим компенсируется изменение токов
IбVT4 и IбVT3 от температуры и обеспечивается температурная стабилизация.
Определим потенциал т. d.
Т.к. UбVT3 = Ud + Uб-эVT4, то
Ud = –Uб-эVT4 + UбVT3 = –(Uоп) – (–Uб-эVT4) = –1,3 – (–0,75) = –0,55В
(Uоп
Скачали данный реферат: Белочкин, Drachjov, Разин, Холопов, Эпингер, Savjol, Грачёв, Saverij.
Последние просмотренные рефераты на тему: реферат, налоги в россии, 11 контрольная работа, allbest.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5