Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

где Iко – ток в рабочей точке, занесенный в формулу в мА.

Проводимость база-эмиттер расчитаем по формуле:

(4.14)

Определим диффузионную емкость по формуле:

(4.15)

Сопротивление внутреннего источника тока будет равно:

(4.16)

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ найдем по формуле:

(4.17)

Крутизну транзистора определим по формуле:

(4.18)

4.3.2 Однонаправленная модель

Однонаправленная модель, так же как и схема Джиаколетто, является эквивалентной схемой замещения транзистора. Схема представляет собой высокочастотную модель, которая изображена на рисунке 4.6. Полное описание однонаправленной модели можно найти в [4].

Рисунок 4.6 – Однонаправленная модель

Расчитаем элементы схемы воспользовавшись справочными данными и приведенными ниже формулами.

Справочные данные для транзистора КТ930Б:

Lб – индуктивность базового вывода;
Lэ – индуктивность эмиттерного вывода;
Gном1,2 – коэффициент усиления по мощности в режиме двустороннего согласования.

Определим входную индуктивность по следующей формуле:

(4.19)

Входное сопротивление равно сопротивлению базы в схеме Джиаколетто:

Выходное сопротивление найдем по формуле:

(4.20)

Выходную емкость найдем по формуле (4.11) при напряжении в рабочей точке.

Определим частоту fmax из следующей формулы:

(4.21)

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: информация реферат, ответы 11 класс, рефераты дипломы курсовые.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата