Теория
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: конспект, бесплатно рассказы
| Добавил(а) на сайт: Krutikov.
Предыдущая страница реферата | 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 | Следующая страница реферата
8. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В РАБОЧЕМ РЕЖИМЕ
2.8.1. Общие сведения
Рабочим режимом транзистора принято называть его работу под нагрузкой.
Функциональная схема усилителя в общем виде представлена на
рис. 2.9.
[pic]
Рис. 2.9. Функциональная схема электронного усилителя
В усилителях, эквивалентная схема которого представлена на рис. 2.9, источник управляющей энергии называется источником сигнала, а цепь
усилителя, в которую поступают его электрические колебания, ( входом.
Устройство, к которому подводят усиленные колебания, называется
нагрузкой, а цепь усилителя, к которой подключают эту нагрузку, ( выходом.
Устройство, от которого усилитель получает энергию, преобразуемую им в
усиленные электрические колебания, называют источником питания (обычно
используют источник постоянного напряжения, а исключение составляют
параметрические усилители).
2.8.2. Рекомендации по выбору транзисторов при использовании их в усилительном и ключевом режимах
2.8.2.1. Выбор типа транзистора
При выборе типа транзистора в схему усилителя или ключа исходят из характера электронной схемы, а также требований к ее выходным электрическим параметрам и эксплутационным режимам. Особое значение имеет диапазон рабочих температур конструируемого устройства в целом.
Необходимо иметь в виду, что кремниевые транзисторы по сравнению с германиевыми лучше работают при повышенной температуре (вплоть до
125 оС ), но их коэффициент передачи по току сильно уменьшается при низких температурах.
Не рекомендуется применять мощные транзисторы в тех случаях, когда можно использовать маломощные, поскольку при работе мощных транзисторов, при малых токах, которые могут быть соизмеримы с обратным током коллектора, коэффициент передачи по току сильно зависит от тока, температуры окружающей среды, и, кроме того, мал по абсолютной величине. Использование мощных транзисторов без теплоотводов приводит к температурной неустойчивости работы транзистора.
Частотный предел усиления и генерирования транзисторов должен строго соответствовать схемным требованиям. Не следует применять высокочастотные транзисторы в низкочастотных каскадах, поскольку они склонны к самовозбуждению.
2.8.2.2. Выбор схемы включения
При выборе схемы включения транзистора по переменному току следует учитывать особенности различных схем.
Схема включения с ОБ обладает сравнительно малым входным и большим выходным сопротивлением, однако сравнительно небольшая зависимость параметров от температуры и более равномерная частотная характеристика выгодно отличает ее от других схем включения. В схеме с ОБ достигаются максимальные значения коллекторного напряжения, что важно для использования в ней мощных транзисторов.
Схема включения с ОЭ обладает наибольшим усилением по мощности, что уменьшает количество каскадов в схеме, но неравномерная частотная характеристика, большая зависимость параметров от температуры и меньшее максимально допустимое коллекторное напряжение снижают преимущества этой схемы включения. Входные и выходные сопротивления усилителя на транзисторах, включенных в схему с ОЭ, отличаются меньше, чем в схеме с ОБ, что облегчает построение многокаскадных усилителей.
Схема включения с ОК (эмиттерный повторитель) обладает большим входным и малым выходным сопротивлением. Это свойство находит широкое применение в согласующих каскадах. Частотная характеристика схемы сходна со схемой включения транзистора с ОЭ.
Порядок выбора схемы включения для транзисторов, работающих в режиме переключения, практически не отличается от случая работы их в усилительном режиме.
2.8.2.3. Выбор режима работы транзистора
При выборе режима работы транзистора не допускается превышение максимально допустимых значений напряжений, токов, температуры, мощности рассеяния, указанных в предельно допустимых режимах. Как правило, транзистор работает более устойчиво при неполном использовании его по напряжению и полном использовании его по току, чем наоборот. Не допускается работа транзистора при совмещенных максимально допустимых режимах, например, по напряжению и по току, и т.п.
Область рабочего тока коллектора Iк ограничена, с одной стороны, значением обратного тока коллектора Iкбо при максимальной рабочей температуре, и для устойчивой работы принимается Iк = 10 Iкбо.max, с другой стороны, Iк ограничен максимально допустимым значением Iк.max.
При выборе напряжения коллектора следует иметь в виду: максимальное напряжение коллектора ограничено его максимально допустимым значением в технических условиях (ТУ). Опыт показывает, что для повышения надежности и стабильности работы транзистора следует выбирать рабочее напряжение на коллекторе примерно 0.7 от максимально допустимого значения для соответствующей схемы включения, с учетом зависимости от температуры и тока коллектора.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: изложение материала, культурология, сочинения по литературе.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 | Следующая страница реферата