Тиристоры и некоторые другие ключевые приборы
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: реферат война, доклад по биологии
| Добавил(а) на сайт: Рябцев.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4
На рис. 7 показана пусковая характеристика тринистора, т. е. зависимость
Uп.п (Iб).
Координаты точки Н, в которой напряжение на коллекторном переходе П2 падает до нуля, определяются условием Uk = 0 в формуле (11).
Так же как в динисторе, можно в этой точке считать ? ” 1 и определять ток
Iн из условия
?’?1(Iн + Iб)+ ?3(Iн)==1. (12)
Отсюда видно, что увеличение тока Iб, а значит, и коэффициента ?1
сопровождается уменьшением коэффициента ?3, а значит, и тока Iн.
Соответственно несколько меньше будет и ток Io.п в точке обратного
переключения.
Параметры тринистора в открытом состоянии практически не отличаются от
параметров динистора, поскольку ток Ik в этой области значительно больше
тока Iб, и поэтому токи обоих крайних переходов почти одинаковы.
[pic]
Рис. 7. Пусковая характеристика тринистора
До сих пор мы рассматривали кривые с параметром Iб >0. При этом
подразумевалось, что источник базового тока представляет собой э. д. с. Eб
<О, включенную последовательно с сопротивлением Rб (см. рис. 6). В частном случае, при Iб=0, можно было считать Eб = 0; rб = ? . Теперь рассмотрим работу тринистора в условиях обратного смещения (Eб> 0) (рис. 8). Пусть э.
д. с. Eб достаточно велика и эмиттерный переход заперт. Тогда тринистор
превращается в транзистор п1-р2-п2 (с оборванной базой p2), который включен
последовательно с сопротивлением Rб и питается напряжением Eб + Uk.
Коллекторный ток при таком включении будет током транзистора в схеме ОЭ с
оборванной базой:
Ik=MIk0/(1-M?3) где ?3 - коэффициент передачи тока от перехода П3 к переходу П2. Реальное запирающее смещение на эмиттерном переходе будет меньше, чем э. д. с. Eб, на величину Ik Rб. С ростом тока Ik смещение будет уменьшаться, и при некотором токе I0, когда Eб - I0Rб = 0, эмиттерный переход отопрется. После этого базовый ток будет иметь неизменную отрицательную величину:
[pic]
Рис. 8. Вольт-амперные характеристики тринистора при отрицательном токе базы.
Iб= -I0= -Eб/Rб (13)
которую можно считать параметром соответствующей характеристики. Если в формуле (11) положить ?1=0 и ?= ?3 и подставить Ik = I0, можно получить напряжение отпирания эмиттерного перехода:
U0 =UM [1-(?3 I0 + Ik0)/ I0]1/n (14)
Из формулы (13) видно, что ток I0, равный параметру кривой (току Iб), возрастает вместе с модулем параметра. Что касается напряжения U0, то оно
несколько увеличивается.
Ток обратного переключения можно найти из уравнения (12), если считать
Iн”Iо,п В случае малых отрицательных токов базы ток Iо,п заметно больше
тока I0”?Iб?. При больших токах ?Iб? эта разница уменьшается. Отношение
Iо,п/?Iб? можно назвать коэффициентом усиления при выключении; он
определяется .величиной а1/(а-1) и в обычных тринисторах не превышает (1).
Очевидно, что с точки зрения управляемости при запирании суммарный
коэффициент передачи а не следует делать намного большим единицы.
На рис. 9, а показана типичная схема включения тринистора, а на рис. 9, б
- ее рабочий цикл. Пусть Ek < Uп,по. Тогда в запертом состоянии и при токе
Iб = 0 рабочей точкой будет точка а. Увеличивая ток Iб до значения Iб1, мы
вызовем скачкообразный переход рабочей точки из положения a1 в положение b.
В этом открытом состоянии тринистора падение напряжения на нем составляет
всего лишь около 1 в, как и в динисторе. Поэтому ток нагрузки практически
равен Ek/Rk. Для того чтобы запереть тринистор, т. е. вернуться в точку а, нужно либо уменьшить рабочий ток до величины Ik < Io.п
[pic]
Рис 9. Типовая схема включения тринистора (а) и ее рабочий цикл (б)
(путем понижения питающего напряжения), либо задать в базу отрицательный
импульс тока. Оба случая иллюстрируются пунктирными линиями на рис. 9, б.
В первом случае рабочая точка скачком переходит из положения b1 в положение
a2, а затем (после восстановления Э. Д. С. Ek) - в исходную точку а.
Во втором случае из точки b происходит скачок в точку a3, а затем (по
окончании запирающего импульса) возвращение в точку а. Первый путь известен
из тиратронной техники, второй специфичен для тринистора, так как тиратрон
нельзя погасить со стороны сетки. Правда, базовый ток «гашения» в
тринисторе оказывается сравнительно большим из-за малого коэффициента
усиления при выключении.
Основная тенденция при разработке современных тринисторов состоит в
повышении рабочих токов и, напряжений с тем, чтобы заменить соответствующие
газоразрядные приборы (газотроны и тиратроны). В настоящее время рабочие
токи тринисторов лежат в пределах 1 000— 2 000 а, а рабочие напряжения — в
пределах 2—3 кв. При прочих равных условиях динисторы и тринисторы
значительно превосходят газоразрядные приборы по коэффициенту полезного
действия, а также по габаритам, весам и сроку службы.
Мощные тринисторы используются в качестве контакторов, коммутаторов тока, а также в преобразователях постоянного напряжения, инверторах и
выпрямительных схемах с регулируемым выходным напряжением.
Времена переключения у тринисторов значительно меньше, чем у тиратронов.
Даже у мощных приборов (с токами в десятки ампер и больше) время прямого
переключения составляет около 1 мксек,а время обратного переключения не
превышает 10—20-мксек. Следует заметить, что наряду с конечной
длительностью фронтов напряжения и тока имеют место задержки фронтов по
отношению к моменту подачи управляющего импульса.
Наряду с мощными тринисторами разрабатываются и маломощные
высокочастотные варианты. В таких приборах время прямого переключения может
составлять десятки, а время обратного переключения — сотни наносекунд.
Столь высокое быстродействие обеспечивается малой толщиной слоев и наличием
электрического поля в толстой базе. Маломощные быстродействующие тринисторы
используются в различных спусковых и релаксационных схемах.
Скачали данный реферат: Mirnov, Anikij, Манефа, Гнездилов, Nikoljuk, Эверский, Horoshavcev, Капустин.
Последние просмотренные рефераты на тему: решебник по математике виленкин, бесплатные банки рефератов, реферат трудовой, література реферат.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4