Травление п/п ИМС

| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: налоги в россии, дипломная работа формирование
| Добавил(а) на сайт: Юханцев.

Для прецизионного травления былиразработаны планарные реакторы. Схема такого реактора представлена на рис.6. Полупроводниковая подложка располагается на плоском ВЧ электроде. Над ней размещается плоский заземленный электрод, который, как правило, снабжен сложной зонтичной системой подачи реактивного газа для увеличения однородности травления. В таких системах достигается предельная на сегодняшний день анизотропность травления, так как ионы движутся практически перпендикулярно к поверхности подложки. Для увеличения анизотропии травления в таких системах используют дополнительное смещение подложки постоянным напряжением. Производительность таких систем определяется плотностью плазмы и, следовательно, рабочим давлением. Стремление к снижению различных загрязнений требует работы при низких давлениях, это в свою очередь увеличивает длину свободного пробега электронов и снижает плотность ионов в плазме. Компромиссные рабочие режимы достигаются при давлениях в десятки миллиТорр.

Увеличение производительности планарных реакторов требует применения более сложных плазменных систем, в которых используются различные приемы увеличения плотности плазмы. В первую очередь разрабатывались реакторы, в которых для увеличения длины свободного пробега электронов вводится параллельное подложке магнитное поле. Такой тип разряда известен как разряд
Пеннинга, магнетронный разряд или разряд в скрещенных электрических и магнитных полях. Действие силы Лоренца приводит к сложному криволи-нейному движению электронов вблизи рабочей поверхности, что увеличивает число актов ионизации и приводит к формированию плотного плазменного поля вблизи поверхности подложки.

Отметим, что применение таких систем для создания субмикронных рисунков выдвигает очень высокие требования к однородности магнитного поля.

Разработка новых плазменных систем для травления микроструктур продолжается по самым различным направлениям. Для получения плазмы высокой плотности, но горящей при низком давлении используется системы с СВЧ возбуждением разряда. При этом часто создаются сложные системы электрических и магнитных полей позволяющие реализовать режимы электронного циклотронного резонанса, возбуждения геликоидальных волн и т.д.

В настоящее время наиболее перспективным считаются системы, которые получили название реакторы с индуктивно-возбуждаемой плазмой (inductively coupled plasma, ICP etcher). Высокую анизотропию травления можно достичь в системах, когда ионы атакуют поверхность травления, двигаясь по перпендикулярным к ней направлениям. Такой режим легко реализуется в плазменных система с конденсаторным расположением электродов (Е-разряд), т.е. в обычных планарных реакторах (рис. 6).
| |
|Рис. 6 схема типичной конструкции|
|планарного реактора |

Однако более плотную плазму проще получить в индуктивно возбуждаемом разряде (Н-разряд). Разработчики технологического оборудования попытались совместить в одной системе оба типа разряда, что привело к соз-данию систем, схема которых представлена на рис. 7. Плазменное поле создается индуктивным ВЧ разрядом, возбуждаемым генератором 1. Частота генератора и конструкция катушки оптимизированы для получения плазмы высокой плотности.
Реактивные ионы экстрагируются из плазменного поля ВЧ смещением поодложкодержателя с полупроводниковой пластиной, создаваемым генератором
2. Как правило, частота генератора 2 ниже частоты генератора 1 и она, наряду с амплитудой напряжения, определяет энергию ионов падающих на обрабатываемую пластину. Таким образом, в ICP реакторах возможно раздельное управление плотностью плазмы и энергией реактивных ионов. Отметим, что оптимизация энергии ионов возможна и в обычных планарных ректорах, в которых обычно осуществляется дополнительное смещение подложки источником постоянного напряжения. Меняя величину и полярность этого напряжения можно в определенных пределах изменять энергию ионов.

Обладая целым рядом преимуществ и удовлетворяя практически всем требованиям для прецизионного травления, ICP реакторы фактически являются стандартным оборудованием при производстве микросхем с субмикронным разрешением.

Анализ ключевых аспектов плазменного травления

Скорость травления. Скорость травления определяется многочисленными факторами, главными из которых являются: конфигурация плазменной системы, оптимальный выбор плазмообразующих газов, ВЧ мощность и рабочее давление.

Как уже отмечалось выше, наиболее оптимальной является конструкция, обеспечивающая получение плазмы высокой плотности. Использование систем типа ICP реакторов с ВЧ генераторами с мощность от 0,5 до 2 кВт позволяет создать вблизи поверхности подложки плотность ионов от 3*1010 до 3*1012 см-

3 . Рабочее давление влияет на скорость изотропность и однородность травления через изменение длины свободного пробега ионов. Высокое давление увиличивает однородность процесса, но приводит к изотропному травлению и снижению величины скорости процесса. Понижение давления улучшает разрешение процесса за счет усиления анизотропии процесса, увеличивает скорость травления, но увеличивает число радиационных повреждений в микроструктурах.
В современных системах оптимальное давление лежит в пределах от 0,2 – 50 мТор.
| |
|Рис. 7 схема типичной конструкции ICP |
|реактора |

Сильное влияние на скорость травления оказывает правильный выбор реактивного газа или смеси газов. Однако подбор оптимальной газовой среды определяется не только производительностью процесса, но и достижением высокой селективности травления. В зависимости от конструкции микроструктуры и следовательно комбинации ее материалов скорости травления могут изменяться от 600 до 2000 A/мин.

Селективность. Селективность определяется через отношение скоростей травления различных пар материалов, входящих в состав микроструктуры. При проведении процесса травления ключевым моментом является оптимальная остановка процесса и отсутствие такого нежелательного явления как перетрав

(overeth), заключающийся в травлении нижележащего слоя.. В идеале время травления можно рассчитать, зная толщину удаляемого слоя и скорость травления материала в заданных условиях. Однако на практике всегда присутствую такие негативные явления как неоднородность толщины и состава обрабатываемых слоев. Кроме того, при травлении сложных многоплановых структур проявляются эффекты различия скоростей травления для малых и больших площадей (microloading). Этот эффект присутствует, например при вскрытии контактных окон в сложных структурах. Кроме того, обрабатываемые слои на различных участках схемы могут иметь различные толщины, что так-же приводит к перетраву.

Вторым важным моментом при рассмотрении проблемы селективности есть оптимальное соотношение скорости травления удаляемого слоя и фоторезиста.

Сухие плазменные процессы имеют достаточно высокие скорости травления резистов. Особенно сильно эта проблема проявляется при травлении с высоким разрешением, так как в этом случае толщина резиста не может превышать толщины линии, или при получении структур с высоким отношением высоты линии к ее ширине.

Для выбора оптимальной селективности процесса используют следующие приемы и методы

1. Выбор оптимального реактивного газа.

2. Выбор оптимальной скорости травления

3. Снижение концентрации реактивного газа при завершении процесса травления.

4. Введение в систему различных устройств определения окончания процесса

(endpoint detector).

Возможность травления структур с высоким отношением высоты линии к ее ширине. Новые конфигурации транзисторных структур с вертикальным расположением активных областей (полевой транзистор с вертикальным каналом, туннельный резонансный транзистор и т.д.) предъявляют новые требования к технологии травления. В частности она должна обеспечивать травление линий, в которых высота в несколько раз превышает ширину линии (lines with high- aspect-ratio features). При этом возникает целый ряд специфичных проблем, главная из которых заключается в неоднородном заряжении микроструктур

(aspect ra-tio charging or electron shadowing). Суть этого явления заключается в следующем: плазма обычно заряжена положительно по отношению к стенкам реактора и обрабатываемой по-верхности. Положительные ионы движутся из поля плазмы перпендикулярно к поверхности. Электроны в общем случае не попадают на поверхность пластин.
| |
|Рис.8 cхема реактора с магнитной ловушкой для |
|горячих электронов. |

Однако в системах с высокой плотностью плазмы, при большом положительном смещении полупроводниковой пластины, наблюдается существенный поток горячих электронов (с энергией до 10000-50000 К) к обрабатываемой поверхности. Так как электроны имеют большую энергию, то это движение носит диффузный и, следовательно, изотропный характер. Электроны захватываются верхними диэлектрическими слоями микроструктуры, что приводит к отрицательному заряжению этих слоев по отношению к слоям, формирующим дно линии. Это приводит к появлению большой разности потенциалов, котрая формирует электрическое поле отталкивающее положительные ионы от дна микрорельефа на стенки линии, что проявляется в боковом перетраве и формировании линий с невертикальными стенками.Предлагаются различные приемы снижения отрицательного заряжения поверхности пластин. Один из них заключается в импульсном возбуждении плазмы высокой плотности. В то время, когда обрабатываемая поверхность поляризуется положительно, возбуждающий плазму импульс выключается. Показано, что за время порядка 10 мкс горячие электроны сбрасывают свою энергию приблизительно до единиц эВ, что существенно снижает эффект заряжения. В ряде разработок используются различные ловушки горячих электронов, двигающихся по направлению к обрабатываемой пластине. Одна из таких конструкций приведена на рис. 9. На горячие электроны при их движении к подложке действует сила Лоренца препятствующая их проникновению к обрабатываемой поверхности.