Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

2. Проводится линия уровня минимально требуемой глубины ОС 20lgFmin =

20lgF, определенный в п.2.3.

20lgF = 37,50123 дБ.
3. Проводится асимптота с наклоном -N(6 дБ/окт через точку с координатами:

(fт ср, -АТ, дб) = (547 722 557,51; 4,75 дБ);.

4. На асимптоте, на уровне выбранного запаса устойчивости по модулю х =

-10 дБ отмечается точка пересечения асимптоты со ступенькой, определяющая частоту конца ступеньки fc.

5. По частоте fc находится частота начала ступеньки fd из условия ориентировочной длины ступеньки 1,5…3 октавы (fd ( fc/(3…8)). Между частотами fd и fc вычерчивается ступенька на уровне – х = -10 дБ.

6. От начала ступеньки (на частоте fd) проводится луч с наклоном –12(1 – у) дБ/окт до частоты fВ/2 и ордината конца луча определяет уровень

Амах в рабочем диапазоне частот.

7. Более точно ширина ступеньки и значение Амах могут быть расчитаны по формулам : fc = fТ ср(100,05(х – Ат)/N = 1 833 737 934,55 Гц. fd = 2(1 – у)3600/((2(z)2;

[pic];

Здесь (z = (a + (н + (п , где (a, (н, (п – коэффициенты линейного фазового сдвига асимптоты, нелинейной фазы транзисторов и петли ОС. Они определяются соответственно положением асимптоты, параметрами транзисторов и конструкцией усилителя.

[pic]; град/МГц.

[pic]; град/МГц.

[pic]; град/МГц.
Где l = 10 см длина петли ОС в см, С = 3(1010 см/с – скорость распространения электромагнитных колебаний, (i – диэлектрическая проницаемость материала платы.
Зная эти коэффициенты вычислим:

fd = 100 МГц.
Амах = 65,65 дБ.

8. Вычерчиваем постоянное значение уровня Амах до частоты fВ линия Амах соединяется с линией оптимального наклона в диапазоне частот fВ … 2 fВ плавной как пказано на рис.6.1.

Составление принципиальной схемы.

При составлении полной принципиальной схемы усилителя необходимо наиболее рационально скомпоновать и соединить между собой функциональные узлы усилителя (К – цепь, входную и выходную цепи, цепь ОС), схемы которых были рассчитаны в предыдущих разделах.

Блокировочные конденсаторы в эмиттерных цепях транзисторов Сэ, устраняющие местную ОС по сигналу, рассчитываются из условия пренебрежимо малого сопротивления по сигналу вплоть до нижней частоты рабочего диапазона:

Сэ ( (3…5)(h21Rэ + RГ + h11)((fHRЭ)(RГ + h11).

Таким образом, найдем СЭ для первого каскада:

СЭ1 = 3,6 мкФ.

СЭ2 = 3 мкФ.

Значение емкостей конденсаторов уже подобранны по ГОСТу.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: конспект 5 класс, древний реферат, 6 класс контрольные работы.





Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата