Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

[pic]

Рисунок 3.3.7 Принципиальная схема эмитерной термостабилизации

Расчёт производится по следующей схеме:

1.Выбираются напряжение эмиттера [pic] и ток делителя [pic] (см. рис.
3.4), а также напряжение питания [pic];

2. Затем рассчитываются [pic].

Напряжение эмиттера [pic] выбирается равным порядка [pic]. Ток делителя
[pic] выбирается равным [pic], где [pic]- базовый ток транзистора и вычисляется по формуле:

[pic](мА); (3.3.18)

Тогда:

[pic] А (3.3.19)

Учитывая то, что в коллекторной цепи отсутствует резистор, то напряжение питания рассчитывается по формуле: [pic](В) ;

(3.3.20)

Расчёт величин резисторов производится по следующим формулам:

[pic] Ом;
(3.3.21)

[pic] (Ом); (3.3.22)

[pic] (Ом); (3.3.23)

Данная методика расчёта не учитывает напрямую заданный диапазон температур окружающей среды, однако, в диапазоне температур от 0 до 50 градусов для расчитанной подобным образом схемы, результирующий уход тока покоя транзистора, как правило, не превышает (10-15)%, то есть схема имеет вполне приемлимую стабилизацию [2].

3.3.4.2 Активная коллекторная термостабилизация

Активная коллекторная термостабилизация используется в мощных каскадах и является достаточно эффективной, её схема представлена на рисунке 3.3.

[pic]

Рисунок 3.3.8 Схема активной коллекторной термостабилизации.

В качестве VT1 возьмём КТ814А. Выбираем падение напряжения на резисторе
[pic] из условия [pic](пусть [pic]В), тогда [pic]. Затем производим расчёт по формулам [6]:

[pic];

(3.3.24)

[pic];

(3.3.25)

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: страница реферата, реферат газ, курсовые.





Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата