Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

Из справочных данных мы знаем, что при [pic] [pic], а [pic] на 18В. Для того, чтобы свести параметры к одной системе воспользуемся формулой перехода:[1]

[pic] (1.10) в нашем случае:

[pic]

Теперь, зная все параметры, можно найти сопротивление:

[pic], тогда [pic]

Найдем значение коллекторной емкости в рабочей точке по той же формуле перехода:

[pic]

Найдем значения оставшихся элементов схемы:

[pic], где (1.11)

[pic] – паспортное значение статического коэффициента передачи,

[pic] – сопротивление эмиттеного перехода транзистора

Тогда [pic]

Емкость эмиттерного перехода: [pic], где [pic] – типовое значение граничной частоты коэффициента передачи тока, взятое из паспортных данных транзистора.[7]

Найдем оставшиеся параметры схемы:

[pic] (1.12)

[pic] (1.13)

[pic] (1.14) б) Однонаправленная модель.[4]

Однонаправленная модель представлена на рис.1.8.

[pic]

Рисунок 1.8 - Однонаправленная модель.

При определении значений элементов высокочастотной модели воспользуемся паспортными данными транзистора:[7]

[pic] (1.15) где [pic] – входное сопротивление, [pic] – выходная емкость, [pic] – выходное сопротивление.В паспортных данных значение индуктивности.[7]

[pic] где [pic] – индуктивности выводов базы и эмиттера.

В результате получим:

[pic]

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: сочинение отец, доклад по обж, решебник 6.





Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата