Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата

Электрические параметры:
1. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ [pic]МГц;
2. Постоянная времени цепи обратной связи [pic]пс;
3. Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ [pic];
4. Ёмкость коллекторного перехода при [pic] В [pic]пФ;
5. Индуктивность вывода базы [pic]нГн;
6. Индуктивность вывода эмиттера [pic]нГн.

Предельные эксплуатационные данные:
1. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер [pic]В;
2. Постоянный ток коллектора [pic]мА;

3. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора [pic] Вт;

2.2.2 Расчёт эквивалентных схем замещения транзистора.

2.2.2.1Расчёт параметров схемы Джиаколетто.
Рисунок 2.2.2.1.1- Эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиаколетто).
Найдём параметры всех элементов схемы:[2]
Пересчитаем ёмкость коллектора из паспортной:
Ск(треб)=Ск(пасп)*[pic]=1,6([pic]=2,92 (пФ)
Найдём gб=[pic], причём rб= [pic]: rб= [pic]=2,875 (Ом); gб=[pic]=0,347 (Cм);
Для нахождения rэ воспользуемся формулой rэ=[pic], где Iк0 в мА: rэ=[pic] =1,043 (Ом);
Найдём оставшиеся элементы схемы gбэ=[pic]=0,017,где Я0=55 по справочнику;
Cэ=[pic]=30,5 (пФ),где fТ=5000Мгц по справочнику;
Ri= [pic]=100 (Ом), gi=0.01(См),где Uкэ(доп)=20В Iко(доп)=200мА.

2.2.2.2Расчёт однонаправленной модели транзистора.
Данная модель применяется в области высоких частот.
Рисунок 2.2.2.2.1- Однонаправленная модель транзистора.

Параметры эквивалентной схемы расчитываются по приведённым ниже формулам.[2]

Входная индуктивность:

[pic],

(2.2.2.1) где [pic]–индуктивности выводов базы и эмиттера.

Входное сопротивление:

[pic],

(2.2.2.2) где [pic], причём [pic], [pic]и [pic] – справочные данные.

Выходное сопротивление:

[pic].

(2.2.2.3)

Выходная ёмкость:

[pic]. (2.2.2.4)

В соответствие с этими формулами получаем следующие значения элементов эквивалентной схемы:
Lвх= Lб+Lэ=1+0,183=1,183 (нГн);
Rвх=rб=2,875 (Ом);
Rвых=Ri=100 (Ом);
Свых=Ск(треб)=2,92 (пФ); fmax=fт=5 (ГГц)

2.2.3 Расчёт и выбор схемы термостабилизации.

2.2.3.1 Эмитерная термостабилизация.

Эмитерная термостабилизация широко используется в маломощных каскадах, так как потери мощности в ней при этом не значительны и её простота исполнения вполне их компенсирует, а также она хорошо стабилизирует ток коллектора в широком диапазоне температур при напряжении на эмиттере более
3В.[1]
Рисунок 2.2.3.1.1- Каскад с эмитерной термостабилизацией.

Рассчитаем параметры элементов данной схемы.
Uэ=4 (В);
Eп=Uкэ0+Uэ=7 (В);
Rэ=[pic] =[pic]=90,91 (Ом);
Rб1=[pic], Iд=10(Iб, Iб=[pic], Iд=10([pic] =10([pic]=0,008 (А);
Rб1=[pic]=264,1 (Ом);
Rб2=[pic] =534,1 (Ом).
Наряду с эмитерной термостабилизацией используются пассивная и активная коллекторная термостабилизации.[1]

2.2.3.2Пассивная коллекторная термостабилизация:

Ток базы определяется Rб. При увеличении тока коллектора напряжение в точке
А падает и следовательно уменьшается ток базы, а это не даёт увеличиваться дальше току коллектора. Но чтобы стал изменяться ток базы, напряжение в точке А должно измениться на 10-20%, то есть Rк должно быть очень велико, что оправдывается только в маломощных каскадах[1].
Рисунок 2.2.3.2.1- Схема пассивной коллекторной термостабилизации
Rк=[pic]=159.1(Ом);
URк=7 (В);
Eп=Uкэ0+URк=10 (В);
Iб=[pic]=0.0008(А);
Rб=[pic] =2875 (Ом).

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: дипломная работа по психологии, тесты, сочинение рассказ.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата