Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

[pic]%

[pic]% (28)

[pic]% (29)

[pic]% (30)

[pic]

Определяем длину резистивной пленки и площадь резистора:

[pic]мм. [pic]мм2. (31)

Определим коэффициент нагрузки резистора:

[pic] (32) [pic] (33)

Подобно этому расчету рассчитываем остальные резисторы, а результаты заносим в таблицу №1.

Таблица №1

|Резисторы |L,мм |b, мм |S, мм |P, мВт |
|R1, R10 |2.6 |0.2 |0.52 |0.22 |
|R2 |1.7 |0.2 |0.34 |0.17 |
|R3 |1.2 |0.2 |0.24 |0.06 |
|R4, R7 |3.2 |0.2 |0.64 |0.32/0.39 |
|R5 |0.9 |0.35 |0.315 |0.11 |
|R6 |0.55 |0.7 |0.385 |0.26 |
|R8 |0.4 |0.65 |0.26 |0.19 |
|R9 |0.75 |0.2 |0.15 |0.35 |

Конденсаторы

Конденсаторы являются широко распространенными элементами гибридных микросхем. Пленочный конденсатор представляет собой последовательно нанесенные на подложку и друг на друга пленки проводника и диэлектрика.
Такая конструкция пленочных конденсаторов делает их более сложными элементами микросборок по сравнению с резисторами.

Применение многослойных конденсаторов с большим числом обкладок приводит к усложнению технологии, снижению надежности, электрической прочности конденсаторов и повышение их стоимости. Поэтому в пленочных микросборках в основном применяются лишь трехслойные конденсаторы. Все характеристики пленочных конденсаторов зависят от выбранных материалов. Диэлектрическая пленка должна иметь высокую адгезию к подложке и металлическим обкладкам, обладать высокой электрической прочностью и малыми диэлектрическими потерями и многими другими требованиями и характеристиками.

Под наши номиналы конденсаторов более подходит боросиликатное стекло
(ЕТО.035.015.ТУ) с удельной емкостью 150…400 пФ/мм2, диэлектрической проницаемостью (0 = 4, tg(д 0.1…0.15 102, электрической прочностью ЕПР =
300…400 В/мкм, ТКЕ 104 М((д = 0.36, (((д = 0.01, коэффициентом старения 10-
5 Мк(д = 1, (к(д = 0.5. Также имеем технологические ограничения на размеры обкладок: (l = (b = 0.005мм. – максимальное отклонение размеров обкладок,
Мсо = 0.01 – среднее значение производственной относительной погрешности удельной емкости, (со = 0.005 – половина поля рассеивания производственной относительной погрешности удельной емкости.

Вычислим среднее значение относительной погрешности удельной емкости,
Вызванной изменением температуры, Мcotb при верхней и Мcotn при нижней предельной температуре:

[pic]%

[pic]% (34)

Среднее значение относительной погрешности емкости, вызванной изменением температуры (2.17; 2.18 [5]):

[pic] [pic] (35)

[pic]% [pic]%

Половины полей рассеяния относительной погрешности предельной емкости, вызванной изменением температуры:

[pic]

[pic] % (36)

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат диагностика, дороги реферат, реферат на тему общество.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата