Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок

| Категория реферата: Остальные рефераты
| Теги реферата: тесты онлайн, курсовые работы
| Добавил(а) на сайт: Pamfilij.

8. Обзоры по электронной технике: Развитие теории и практики эпитаксиального наращивания из жидкой фазы на примере GaP/Федоров В. А.,
Минаждинов М. С., Невский О. Б., Одинцова И. Р. М., 1980. Вып. 3 (724).
Сер. 6. “Материалы”. 22 с.

9. Чистяков Д.Ю., Райков Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979. 408 с.

10. Обзоры по электронной технике: Кинетика осаждения эпитаксиальных слоев соединений АIIIBV из газовой фазы/Стрельченко С. С., Матяш А. А., М.,
11979. Вып. 8 (678). Сер. 6, “Материалы”. 56 с.

11. Обзоры по электронной технике: Молекулярно-лучевая эпитаксия
(особенности технологии и свойства пленок)/Денисов А. Г., Садофьев Ю. Г.,
Сеничкин А. П. М., 1980. Вып. 14 (762). Сер. 7, “Технология, организация производства и оборудование”. 76 с.

12. Олсен Г. Х., Эттенберг М. Особенности получения гетероэпитаксиальных структур типа АIIIBV.- В кн. Рост кристаллов. М.: Мир, 1981, с. 9-77.

13. Крессел Г., Нельсон Г. Свойства и применение пленок соединений элементов групп III и V, полученных эпитаксией из жидкой фазы.- В кн.:
Физика тонких пленок. М.: Мир, 1977, т. 7, с. 58-63.

14. Wieder H. H. Transport coefficients of InAs epilayers.-Appl. Phys.
Lett., 1974, v. 25, N 4, p. 206-208.

15. Mc Carthy J. P. Preparation and properties of epitaxial InAs.- Solid-
State Electron, 1967, v. 10, N 7, p. 649-655.

16. Исследование начальных стадий роста, структурных и электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев InAs на GaAs/Стрельченко С. С.,
Захаров Б. Г., Гурфинкель В. И. и др.- В кн.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1977, ч. 2, с.
98-106.

17. Molecular beat epitaxial growth of InAs/Yano M., Nogami M., Matsuchima
Y., Kimata M.- Japan. J. Appl. Phys., 1977, v. 16, N 12, p. 2131-2137.

18. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп/Пер. с англ. под ред. Б. И. Болтаксаю М.: Мир, 1967. 477 с.

19. Горюнова Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Советское радио, 1968. 267 с.
20. Хилсум К., Роуз-Инс А. Полупроволники типа А3В5/Пер. с англ.
М.:ИЛ,1963.324 с.
21. Разуваев Г.А., Грибов Б.Г., Домрачев Г.А., Саламатин Б.А.
Металлоорганические соединения. М.:Наука, 1972. 479 с.
22. Гидриды, галиды, МОС особой чистоты. М.: Наука,1976.143 с.
23. Осаждение пленок и покрытий разложением МОС. М.: Наука, 1981. 322 с.
24. Активируемые процессы технологии микроэлектроники: Межвузовский тематический научный сборник. Вып. 1. Таганрог, 1975.
25. Корзо В.Ф. и др. Пленки из элементорганических соединений в радиоэлектронике. М.:Энергия, 1973.