Министерство общего и профессионального образования

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет

Кафедра ИИСТ

Пояснительная записка по курсовой работе:

“Разработка и расчет экранированного автогенератора”

Студент гр.6561: Виноградов К.Ю.
Преподаватель: Пыко С.М.

Санкт-Петербург

16/12/99

Содержание:

1. Задание. 3
2. Расчет схемы автогенератора. 3
2.1. Расчет аппроксимированных параметров транзистора. 4
2.2. Расчет параметров колебательной системы 4
2.3. Расчет режима работы транзистора. 5
2.4. Расчет элементов цепей питания. 6
3.Настройка колебательного контура автогенератора. Выбор катушки индуктивности. 6
4. Выбор элементов. 8
5. Размещение элементов на печатной плате. 9
6. Расчет экрана. 9
6.1. Расчет толщины экрана t. 9
6.2. Расчет эффективности реальной составляющей экрана. 10
6.3. Расчет эффективности идеальной составляющей экрана. 10
6.4. Расчет конечного значения эффективности экранирования. 10
6.5. Дополнительные меры для получения требуемой эффективности экранирования. 11
7. Вывод по проделанной работе. 11
8.Литература. 13

1. Задание.

Проектирование автогенератора с кварцевым резонатором в контуре.

|CН, пкФ |RН, Ом |KЭ, дБ |fкв, МГц |Rкв,Ом |Qкв,тыс |C0, пкФ |
|4 |600 |75 |4,99992 |27,5 |91 |5,7 |

Рассчитать электрическую схему транзисторного автогенератора и разработать его конструкцию.
Предложить методику настройки автогенератора.
Конструкция автогенератора должна учитывать наличие электромагнитного экрана, расчитанного на частоты близкие к частоте автогенератора и обеспечивать заданную эффективность подавления помех.

2. Расчет схемы автогенератора.

Рассчитаем колебательную систему автогенератора, работающего на частоте
4,99992 МГц и выполненного на транзисторе ГТ313.

Таблица 1.1
|ГТ313 | |
|NPN-перехо|Основные параметры |
|д | |
|Ge | |
| |Fг, |Sгр, |(0 |Е, В |Ск, пФ |Ска, пФ |rб, Ом |
| |МГц |А/В | | | | | |
| |450-1|0.05 |50 |-0,25 |2,5 |1,25 |60 |
| |000 | | | | | | |
| |Предельные эксплуатационные параметры |
| |(екд(, |(еэбд(,|Iкд, А |tд, (C |Riд, |Pкд при |
| |В |В | | |(С/Вт |t(=25(C Bт|
| |12 |0,5 |0,03 |70 |500 |0,09 |

Таблица 1.2
|Частота |Рекомендуемая PКВ, мВт |Допустимая PКВ. д., мВт |
| |для |для |для |для |
| |термоста-тиру|нетермос-тати|термоста-тиру|нетермос-тати|
| |емых |руемых |емых |руемых |
| |резонаторов |резонаторов |резонаторов |резонаторов |
|Свыше 800 при| | | | |
|колебаниях на|0,500 |1,00 |1,00 |2,00 |
|основной | | | | |
|частоте | | | | |

2.1. Расчет аппроксимированных параметров транзистора.

Зададимся [pic]мА; [pic]=-5В; (=700 ((1=0,436; (0=0,253) и определяем [pic]
[pic]МГц
[pic]

2.2. Расчет параметров колебательной системы

Задаемся m=0,1.
Параметр [pic]
Отношение емкостей [pic]
Амплитуда первой гармоники IК1 коллекторного тока: [pic]мА
[pic]
Емкость конденсатора в цепи базы [pic]пФ
Емкость контура [pic] пФ
Емкость конденсатора [pic] пФ
Нагруженная добротность колебательной системы
[pic]Индуктивность контура [pic]мкГн
Модуль коэффициента обратной связи [pic]
Резистор R0 выбирается [pic]Ом

2.3. Расчет режима работы транзистора.

Амплитуда напряжения на базе [pic]В
Амплитуда напряжения на коллекторе [pic]В
Постоянное напряжение на коллекторе [pic]В
Проверяем условие недонапряженного режима
[pic]В [pic]
Эквивалентное сопротивление колебательной системы автогенератора
[pic]Ом
Постоянная составляющая коллекторного тока [pic]мА
Мощность потребляемая транзистором от источника коллекторного питания
[pic]мВт Поскольку вся мощность, отдаваемая транзистором, рассеевается на кварцевом резонаторе,
[pic] мВт [pic].
Коэффициент полезного действия транзистора [pic]
Постоянная составляющая тока базы [pic]мА
Напряжение смещения на базе [pic]В

2.4. Расчет элементов цепей питания.